Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GW40V60DF ( STGW40V60DF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
216,20 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GW40V60DF (STGW40V60DF) – IGBT-транзистор STMicroelectronics 600 В із вбудованим діодом для зварювання, PFC та інверторів. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 226 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5400 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 283 Вт |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, дуже швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GW40V60DF (STGW40V60DF) – IGBT-транзистор STMicroelectronics серії V (trench gate field-stop) із вбудованим діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при VGE 0 В. Струм колектора Ic – 80 А при TC 25 °C і 40 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово (макс. 2.3 В) при VGE 15 В, IC 40 А, Tj 25 °C. Вбудований діод дуже швидкий і м'який: Vf 1.7 В типово при IF 40 А, Tj 25 °C, trr 41 нс типово. Час спаду tf – 20 нс при VCE 400 В, IC 40 А, RG 10 Ом, Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 5400 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 283 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Шукаєте заміну – порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) та корпус. Заряд затвора Qg – 226 нКл при VCC 480 В, IC 40 А, VGE 0…15 В: якщо у вашій схемі інший драйвер, врахуйте це. Підхожі IGBT з нашого каталогу в TO-247 наведені в таблиці аналогів.
Де застосовують
- Зварювання, PFC-перетворювачі (однофазний вхід), сонячні інвертори, UPS, зарядні станції EV (DC).
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Ic вищий, Qg може відрізнятися – перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити GW40V60DF?
Шукайте IGBT у TO-247 з такою самою напругою Vces та близьким струмом при 100 °C і напругою насичення Vce(sat). Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є у GW40V60DF вбудований діод?
Так, вбудований діод є: дуже швидкий м'який, Vf 1.7 В типово при IF 40 А, Tj 25 °C.
Яка у GW40V60DF розпіновка?
Корпус TO-247: виводи G (1), C (2, TAB), E (3).
Документація виробника: DS9556 Rev 13 (STGFW40V60DF, STGW40V60DF).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.