Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GWT40HP65FB ( STGWT40HP65FB ) оригінал, TO-3P
432,40 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GWT40HP65FB (STGWT40HP65FB) – IGBT-транзистор STMicroelectronics серії HB на 650 В, 40 А у корпусі TO-3P з вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм колектора | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5412 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 283 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
GWT40HP65FB (STGWT40HP65FB) – IGBT-транзистор STMicroelectronics серії HB у корпусі TO-3P. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний – 160 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 210 нКл при VCC = 520 В, IC = 40 А. Вхідна ємність Cies типово 5412 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 283 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Усередині є вбудований діод.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 650 В, струмом Ic при 100 °C не менше 40 А і вбудованим діодом. У нашому каталозі є два IGBT у такому ж корпусі, їх наведено в таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Де застосовують
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Паралельне вмикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| MGF65A4R | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (тип.) 1,6 ≤ 1.3×1,6, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | Заряд затвора менший; datasheet порівняйте перед заміною. | Купити |
| MGF65A4H | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (тип.) 1,9 ≤ 1.3×1,6, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | Vce(sat) вищий, ніж у GWT40HP65FB; datasheet порівняйте перед заміною. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити GWT40HP65FB?
В каталозі є MGF65A4R і MGF65A4H у корпусі TO-3P, обидва з вбудованим діодом, Vces 650 В і Ic 40 А при 100 °C. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в GWT40HP65FB вбудований діод?
Так, є. Пряма напруга діода Vf – 2 В (тип.) при IF = 5 А, Tj 25 °C, час зворотного відновлення trr – 140 нс при IF = 5 А, VR = 400 В.
Чи можна вмикати GWT40HP65FB паралельно?
Так: слабо позитивний температурний коефіцієнт Vce(sat) дає безпечне паралельне вмикання.
Документація виробника: STGWT40HP65FB DocID028465 Rev 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.