Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H20R1202 ( IHW20N120R2 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для H20R120 , IHW20N120R ), TO-247
141,00 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор H20R1202 (IHW20N120R2) Infineon зі зворотною провідністю для схем з м’якою комутацією, зокрема індукційних плит. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Soft Switching |
| Напруга VCE | 1200 В |
| Номінальний струм IC | 20 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1,55 В (Tj = 25 °C, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Макс. температура переходу Tj,max | 175 °C |
| Напруга затвор–емітер VGE | ±20 В (перехідна, tp < 5 мс, ±25 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,45 К/Вт (макс.) |
| Вбудований діод | є, монолітний (body diode) |
| Корпус | TO-247 |
| Вхідна ємність Cies | 1887 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H20R1202 (IHW20N120R2) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Soft Switching. Напруга колектор–емітер VCE – 1200 В, номінальний струм IC – 20 А. Напруга насичення VCE(sat) – 1,55 В при Tj = 25 °C, IC = 20 А, VGE = 15 В. Максимальна температура переходу – 175 °C, напруга затвор–емітер ±20 В (перехідна при tp < 5 мс – ±25 В). Тепловий опір перехід–корпус – 0,45 К/Вт (макс.). Усередині є монолітний діод (body diode) з дуже малою прямою напругою, він обмежує від'ємні напруги. Корпус PG-TO-247-3, маркування H20R1202. Вхідна ємність Cies типово 1887 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Обирайте заміну за типом (IGBT зі зворотною провідністю), корпусом TO-247 та напругою й струмом не нижче наведених. H20R1202 може замінити H20R120 та IHW20N120R; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (індукційні плити)
- Схеми з м'якою комутацією
Чим замінити H20R1202 (IHW20N120R2)?
H20R1202 може замінити H20R120 та IHW20N120R. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить для індукційної плити?
Виробник відносить цю серію до схем з м'якою комутацією, зокрема індукційного нагрівання. Перед встановленням звірте режим роботи вашої схеми з datasheet.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, монолітний діод (body diode) з дуже малою прямою напругою; він обмежує від'ємні напруги.
Документація виробника: IHW20N120R2 Datasheet, Rev. 1.4.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon. Струм при 100 °C, розсіювану потужність, пряму напругу діода й енергію вимкнення не наводимо.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.