Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
141,00 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IHW15N120R3 (H15R1203) – IGBT Infineon зі зворотною провідністю для резонансних схем. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА) |
| Струм колектора Ic | 30 А при Tc=25 °C; 15 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 45 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C |
| Пряма напруга діода Vf | 1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF=15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 254 Вт при Tc=25 °C |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VCC=960 В, IC=15 А, VGE=15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IHW15N120R3 (маркування H15R1203) – IGBT зі зворотною провідністю з серії Resonant Switching, TRENCHSTOP, виробник Infineon, корпус PG-TO247-3. За datasheet виробника: напруга колектор-емітер 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА); струм колектора 30 А при Tc=25 °C і 15 А при Tc=100 °C; імпульсний струм 45 А. Напруга насичення Vce(sat) 1,48 В (тип.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C. Вбудований монолітний діод має Vf 1,55 В (тип.) при IF=15 А і призначений для м’якої комутації. Потужність розсіювання – 254 Вт при Tc=25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Параметри вище стосуються нової деталі за datasheet. Infineon позначає цей номер як знятий з виробництва. Підбираючи заміну, порівнюйте datasheet: корпус, напруга, струм колектора і тип діода мають збігатися. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (варильні поверхні)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- М’яко комутовані (soft switching) схеми
Чим замінити IHW15N120R3?
Виробник заміни не називає. Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з напругою не нижче 1200 В, струмом не менше 15 А при Tc=100 °C і таким самим вбудованим діодом; порівняйте datasheet.
Чи підходить для індукційної плити?
Застосування за datasheet: індукційне нагрівання, інверторні мікрохвильові печі, резонансні перетворювачі. Діод розрахований на м’яку комутацію.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Що означає маркування H15R1203?
Це маркування на корпусі, за datasheet Infineon воно відповідає номеру IHW15N120R3.
Документація виробника: IHW15N120R3 Resonant Switching Series, Infineon.
Параметри datasheet стосуються нової деталі; товар – демонтаж б/в.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.