Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
221,84 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор Infineon для застосувань з м’яким (soft) перемиканням – 1200 В, 40 А (25 °C), корпус TO-247, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (тип., 25 °C) | 1,55 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
H20MR5 (IHW20N120R5) – IGBT-транзистор Infineon для застосувань з м’яким (soft) перемиканням: 1200 В Vces, струм колектора 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний струм до 60 А, розсіювана потужність 288 Вт при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,55 В (тип.) / 1,75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, і зростає до 1,80 В (тип.) при Tj 175 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 5,1-6,4 В (тип. 5,8 В), заряд затвора Qg – 170 нКл. Енергія вимкнення Eoff – 0,75 мДж при 25 °C і 1,55 мДж при 175 °C, час спаду tf – 50-90 нс залежно від температури. Вбудований діод має пряму напругу Vf 1,60 В (тип.) / 1,85 В (макс.) при If 20 А. За орієнтовним діапазоном виробника для цієї серії транзистор розрахований на роботу на частотах 8-60 кГц.
Транзистор оригінальний, новий, не демонтаж – перевіряємо маркування і партію перед відправкою. Підбираючи заміну, звертайте увагу на клас корпуса TO-247, напругу Vces не нижче 1200 В, струм колектора при 100 °C не нижче 20 А і порівнянну напругу насичення Vce(sat), щоб транзистор не перегрівався в резонансній схемі. З нашого асортименту цій умові відповідає FGA25N120ANTD, хоча він у корпусі TO-3P – перед заміною звірте посадочне місце на платі.
Де застосовують
- Індукційні варильні поверхні (inductive cooking)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Застосування з м'яким (soft) перемиканням
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FGA25N120ANTD | IGBT: Vces 1200В ≥ 1200В, Ic(100°C) 25А ≥ 0.8×20А=16А, Vce(sat) порівнянне (2,0/2,65В проти 1,55/1,75В), вбудований діод є в обох | інший корпус – TO-3P замість TO-247, перед заміною перевірте посадочне місце на платі | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим можна замінити H20MR5 (IHW20N120R5)?
У нашому каталозі за параметрами підходить FGA25N120ANTD (Vces 1200 В, Ic(100°C) 25 А) – зверніть увагу, що він у корпусі TO-3P, а не TO-247, тож перед заміною перевірте посадочне місце на платі.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Оригінал перевіряємо за маркуванням на корпусі перед відправкою; перед монтажем варто звірити виводи і напругу насичення мультиметром у режимі перевірки діода.
Чи підходить H20MR5 для індукційної плити або мікрохвильової печі?
Так, це резонансна (soft-switching) серія Infineon, призначена саме для індукційних варильних поверхонь та інверторних мікрохвильових печей.
Чому в описі немає часу зворотного відновлення (trr) вбудованого діода?
Це монолітний body-діод резонансної серії – виробник не наводить для нього окремий trr у даташиті.
Документація виробника: Infineon IHW20N120R5 Datasheet.
Час зворотного відновлення (trr) вбудованого діода виробник для цієї серії не наводить; заявлена в назві товару заміна 20N120IHR не підтверджена ні даташитом, ні дистриб'юторами.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen Electric Manufacturing |
| Повторювана напруга Vrrm | 800 В |
| Струм If(av) з радіатором | 25 А |
| Струм If(av) на платі | 3,5 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (1 цикл, Tj 25 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В (If 12,5 А) |
| Ізоляційна напруга Vdis | 2,5 кВ AC (1 хв) |
| Корпус | SIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів |
| Робоча температура | -40…+150 °C |
Діодний міст GBU2510 ( Заміна для GBU25M ) (1000V,25A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA=25°C) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (з тепловідводом) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.) |
| Ударний струм Ifsm (8,3мс) | 350 А (Tj=25°C) / 280 А (Tj=125°C) |
| Ударний струм Ifsm (1,0мс) | 700 А (Tj=25°C) / 560 А (Tj=125°C) |
| Робоча температура переходу | -40…+150°C |
| Корпус | GBU |
| Маса | 4,1 г |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.