Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
216,20 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30R1202 (IHW30N120R2) – IGBT Infineon зі зворотною провідністю для індукційних плит. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) тип. | 5,8 В |
| Заряд Qg тип. | 198 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2589 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Eoff тип. | 2,4 мДж (Tj 25 °C) |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tj 25 °C) |
| Діод | є, Vf 1,55 В |
| Потужність | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H30R1202 (IHW30N120R2) – IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT) від Infineon у корпусі PG-TO-247-3. Напруга Vce – 1200 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C. Vce(sat) типово 1,65 В (максимум 1,8 В) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; при Tj 175 °C – 2,0 В. Вбудований діод має низьку пряму напругу: Vf типово 1,55 В при If 30 А, Vge 0 В, Tj 25 °C. Втрати вимкнення Eoff типово 2,4 мДж (Vcc 600 В, Ic 30 А, Vge 0/15 В, Rg 28 Ом, Tj 25 °C), час спаду tf – 33 нс за тих самих умов. Вхідна ємність Cies типово 2589 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 390 Вт при Tc 25 °C, Tj до 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat) і наявністю діода в тому самому корпусі TO-247. У нашому каталозі є H25R1202 і H40R1203 – див. таблицю аналогів. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити (inductive cooking)
- Схеми з м'яким перемиканням (soft switching)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C тип. 1.6 ≤ 1.3×1.65, діод є в обох, корпус TO-247 | Ic при 100 °C нижчий за 30 А; для запасу по струму краще H40R1203 | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C тип. 1.55 ≤ 1.3×1.65, діод є в обох, корпус TO-247 | Серія R3, не R2: перевірте драйвер і режим перемикання | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити H30R1202?
З нашого каталогу підходять H25R1202 (IHW25N120R2) і H40R1203 (IHW40N120R3): Vces 1200 В, діод є, корпус TO-247. У H25R1202 струм Ic при 100 °C трохи нижчий.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в ньому вбудований діод?
Так, діод з низькою прямою напругою: Vf типово 1,55 В при If 30 А, Vge 0 В, Tj 25 °C.
Для чого використовують H30R1202?
Для індукційних плит і схем з м'яким перемиканням (soft switching).
Документація виробника: IHW30N120R2 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.