Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
216,20 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30SR5 (IHW30N160R5) – IGBT-транзистор Infineon з вбудованим діодом для індукційних плит і мікрохвильових печей. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N160R5 |
| Напруга Vces | 1600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 39 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.85 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 263 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H30SR5 – це IGBT-транзистор Infineon, маркування відповідає моделі IHW30N160R5 у корпусі TO-247. Це зворотно-провідний IGBT з монолітним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 1600 В при Tvj = 25 °C. Струм колектора Ic – 60 А при Tc = 25 °C (обмежений Tvj max) і 39 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.85 В при VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ. Потужність розсіювання – 263 Вт при Tc = 25 °C. Робоча температура переходу – від -40 до 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус, а також заряд затвора Qg: типово 205 нКл при VCC = 1280 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Мікрохвильові печі
- Резонансні перемикальні схеми (серія Resonant Switching)
Чим замінити H30SR5?
Потрібен IGBT у корпусі TO-247 з тим самим або вищим Vces (1600 В), з вбудованим діодом і не меншим струмом при Tc = 100 °C (39 А). Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чи підходить H30SR5 для індукційної плити?
Так, виробник вказує індукційні плити, мікрохвильові печі та резонансні перемикальні схеми серії Resonant Switching як сфери застосування.
Чи є в H30SR5 вбудований діод?
Так, діод монолітний (зворотно-провідний IGBT). Пряма напруга діода типово 2.00 В при IF = 30 А, VGE = 0 В, Tvj = 25 °C.
Документація виробника: IHW30N160R5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.