Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H30R1602 ( IHW30N160R2 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
235,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30R1602 (IHW30N160R2) – IGBT Infineon зі вбудованим діодом, TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IHW30N160R2 |
| Напруга Vce | 1600 В |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 90 А |
| Vce(sat) | 1.8 В (макс. 2.1 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C |
| Qg | 94 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 312 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.0 В) при If 30 А, Tj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H30R1602 (IHW30N160R2) – IGBT-транзистор Infineon серії TrenchStop RC-IGBT з монолітним діодом у корпусі PG-TO-247-3. Напруга колектор-емітер Vce – 1600 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний – 90 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В (макс. 2.1 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C, а при Tj 175 °C – 2.35 В. Потужність розсіювання Ptot – 312 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 94 нКл (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Діод: If 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C), Vf 1.65 В (макс. 2.0 В) при If 30 А, Tj 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус TO-247. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Індукційні плити (Inductive Cooking), схеми з м'яким перемиканням (Soft Switching).
Чим замінити H30R1602?
Це те саме, що IHW30N160R2. Інша заміна має бути в корпусі TO-247 з напругою не нижче 1600 В, струмом не нижче 30 А при 100 °C і діодом усередині. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в H30R1602 вбудований діод?
Так, монолітний діод: If 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C).
Для чого застосовують H30R1602?
Для індукційних плит і схем з м'яким перемиканням.
Документація виробника: IHW30N160R2 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.