IGBT-транзистори
Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В) |
| Pd при 25 °C | 336 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AN3S ( CRG40T60AN3S ) оригінал, TO3P
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,8 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 280 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5HD ( CRG40T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5SD ( CRG40T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (макс. 1.80 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C |
| Qg | 97.0 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2798 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Pd | 250 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AN5H ( CRG40T65AN5H ) оригінал, TO3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 56 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G50H603 ( IGW50N60H3 ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено Tvjmax); 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,30 В макс. (VGE 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Ptot | 333 Вт (Tc 25 °C); 167 Вт (Tc 100 °C) |
| Tvj макс. | 175 °C |
| Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор G50T65AK5SD ( CRG50T65AK5SD ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CRG50T65AK5SD |
| Маркування | G50T65AK5SD |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 268 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G60N60BN3H оригінал ( CRG60N60BN3H , G60N60 ), TO3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic | 120 А (25 °C), 60 А (100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…7,0 В (тип. 5,4 В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (VCE = 30 В, f = 1 МГц) |
| Енергія вимикання Eoff | 1,39 мДж |
| Час спаду tf | 51 нс |
| Потужність Pd | 403 Вт (25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод: Vf / trr | 1,3 В (IF = 30 А) / 80 нс |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T60AK3SD ( CRG75T60AK3SD ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,55 В тип., 2,4 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 469 Вт (Tc 25 °C), 234 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GF10NC60KD ( STGF10NC60KD ) оригінал , TO220F
В наявності
156,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 9 А (Tc 25 °C), 6 А (Tc 100 °C), корпус TO-220FP |
| Vce(sat) | 2,2 В тип., 2,5 В макс. (VGE 15 В, Ic 5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VCC 390 В, Ic 5 А, VGE 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, 1 с) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP8NC60KD ( STGP8NC60KD ) оригінал, TO220
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 8 А |
| Імпульсний струм Icp | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип., 2.75 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 3 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.5–6.5 В |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | так, антипаралельний, дуже м’який ультрашвидкий |
| Температура переходу Tj | від -55 до 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GS4B60KD1 ( IRGS4B60KD1 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 11 А |
| Струм Ic (100 °C) | 7.6 А |
| Напруга VCE(on) | 2.1 В (тип., IC = 4.0 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 63 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 190 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор GS6B60KD ( IRGS6B60KD ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал з ультрашвидким діодом (NPT) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 26 А |
| Vce(on) (Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,80 В тип. |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 90 Вт |
| Заряд затвора Qg | 18,2 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GT50J327 ( 50J327 ) оригінал, TO-218
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 50 А (температура корпусу в документі не вказана) |
| Імпульсний струм Icp | 100 А |
| Vce(sat) | 1.9 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Ic 50 А, Vge 15 В |
| Потужність Pc | 140 Вт (температура корпусу в документі не вказана) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If 20 А (DC) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GT50N322 ( 50N322 ) оригінал, TO-218
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp (1 мс) | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 60 А, Vge 15 В) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) |
| Vge(off) (Ic 60 мА, Vce 5 В) | 3.0–6.0 В |
| Cies (Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц) | 4000 пФ |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C (розрахунковий); 30 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1.8 В тип., 2.5 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 3.75–5.75 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. при Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Робоча частота | до 50 кГц |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А при 25 °C, 30 А при 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В типово, макс. 2,5 В (Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл типово (Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний, надшвидкий |
| Потужність розсіювання Ptot | 200 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW30V60DF ( STGW30V60DF ) оригінал, TO247
В наявності
306,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT trench gate field-stop, серія V, із діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic | 60 А (TC = 25 °C); 30 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 163 нКл (тип., VCC = 480 В, IC = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 258 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип., 2.8 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.75–5.75 В |
| Пряма напруга діода Vf | 1.9 В (If = 20 А) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (free-wheeling) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icp | 220 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ., Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (надшвидкий) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H15ME1 ( IHW15N120E1 ) , TO247
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 30 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 45 А |
| Vce(sat) typ | 1,50 В (VGE 15 В, Ic 15 А, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) typ | 5,8 В |
| Vge | ±20 В |
| Qg typ | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
221,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | RC-IGBT, Resonant Switching, TRENCHSTOP |
| Напруга Vce | 1350 В при Tvj=25 °C |
| Струм колектора Ic | 40 А при Tc=25 °C; 20 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип. при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C; 1,90 В при Tvj=175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний, Vf 1,60 В тип. при IF=20 А |
| Заряд затвора QG | 195 нКл (тип., VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Потужність Ptot | 310 Вт при Tc=25 °C; 155 Вт при Tc=100 °C |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор H2100 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
240,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IHW30N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА, Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,65 В, макс. 1,95 В (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 330 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | є, монолітний зворотний (reverse conducting) |
| Потужність розсіювання Ptot | 263 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30T100 ( IHW30N100T ) оригінал, TO-247
В наявності
564,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1000 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 1.55 В тип. (макс. 1.7 В) при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C |
| Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3573 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Ptot | 412 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначка в документі | IHW40N135R3 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE=0 В, IC=0.20 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип., макс. 1.85 В (IC=40 А, VGE=15 В, Tvj 25 °C) |
| Qg | 365 нКл тип. (VCC=1080 В, IC=40 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2712 пФ |
| Вбудований діод | є (монолітний, зворотно-провідний IGBT) |
| Потужність Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW15T120F оригінал демонтаж б/в ( заміна для IGW15T120CR ) , TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Vce(sat) тип. (Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) | 2.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2485 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW40T60F оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW40T60U оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW60T60K оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор Infineon H40RF60 ( IHW40N60RF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT n-канал, Trench Stop, зі зворотною провідністю |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max); 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icpuls | 120 А |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,40 В макс. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 305 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2400 пФ |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор Infineon K15T60 ( IKA15N60T ) оригінал (заміна для K10T60 , IKA10N60T ), TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 18,3 А (Tc 25 °C); 10,6 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Ic | 45 А |
| Vce(sat) тип. | 1,5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Vce(sat) макс. | 2,05 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Ptot | 35,7 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Антипаралельний діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Маркування | K15T60 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Infineon K40H603 оригінал ( IKW40N60H3 ) , TO247
В наявності
291,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з антипаралельним діодом (H3, Trench + Field Stop) |
| Напруга Vce | 600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (TC = 25 °C), 40 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.95 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 223 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2190 пФ |
| Час спаду tf | 21 нс |
| Eoff | 0.58 мДж |
| Vf діода | 1.65 В (IF = 20 А) |
| trr діода | 124 нс |
| Потужність | 306 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IR IRG4PF50W ( G4PF50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 900 В |
| Струм Ic | 51 А (Tc 25 °C); 28 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 204 А |
| Vce(on) | 2,25 В тип., 2,7 В макс. (Ic 28 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 28 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRG4PF50WD ( G4PF50WD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | IR (International Rectifier, тепер Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | G4PF50WD |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP30B120KD-E ( IRGP30B120KD , GP30B120KD , GP30B120KD-E ) оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(on) (IC 25 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) | 2.28 В |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP4066D-E ( IRGP4066D ) оригінал, TO247 б/в
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 140 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 90 А |
| Номінальний струм | 75 А |
| Vce(on) типово | 1.70 В (IC = 75 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 454 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | вбудований, ultrafast soft recovery |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |