Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247

345,92 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGW50N65H5 (маркування G50EH5) – IGBT Infineon TRENCHSTOP 5 H5 на 650 В в корпусі TO-247. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
СеріяTRENCHSTOP 5 H5
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 100 °C56 А
Струм Ic при 25 °C80 А (обмежено виводами)
Імпульсний струм150 А
Vce(sat) при 25 °C1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А)
Заряд затвора Qg120 нКл
Ptot при 25 °C305 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

IGW50N65H5 (на корпусі маркування G50EH5) – IGBT Infineon серії TRENCHSTOP 5 H5 в корпусі PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 0,2 мА). Струм колектора 56 А при 100 °C і 80 А при 25 °C (у другому випадку обмежено виводами). Імпульсний струм – 150 А. Vce(sat) при VGE = 15 В і IC = 50 А та 25 °C: 1,65 В типове, 2,10 В максимальне; при 175 °C – 1,95 В. Ptot – 305 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Стан – оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 120 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В). Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку в корпусі TO-247. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Джерела безперебійного живлення
  • Сонячні перетворювачі
  • Зварювальні перетворювачі
  • Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити IGW50N65H5?

Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-247 і розпіновкою, Vces не нижче 650 В, струмом при 100 °C не менше 56 А та подібним Vce(sat). Прямих замін від виробника ми не маємо, а перевірених аналогів у нашому каталозі для цього номера немає.

Що означає заряд затвора Qg для вибору драйвера?

Qg – заряд, який драйвер має подати на затвор, щоб повністю відкрити транзистор. У IGW50N65H5 він 120 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В), тож драйвер має тягнути такий заряд.

Що означає маркування G50EH5?

G50EH5 – маркування на корпусі, за datasheet це IGW50N65H5.

Datasheet

Документація виробника: IGW50N65H5 Datasheet Rev.2.1.

Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IGW50N65H5 (Rev. 2.1).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IGW50N65H5 Datasheet Rev.2.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.