Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50EH5 ( IGW50N65H5 ) оригінал, TO247
345,92 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGW50N65H5 (маркування G50EH5) – IGBT Infineon TRENCHSTOP 5 H5 на 650 В в корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 56 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,65 В тип. / 2,10 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGW50N65H5 (на корпусі маркування G50EH5) – IGBT Infineon серії TRENCHSTOP 5 H5 в корпусі PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 0,2 мА). Струм колектора 56 А при 100 °C і 80 А при 25 °C (у другому випадку обмежено виводами). Імпульсний струм – 150 А. Vce(sat) при VGE = 15 В і IC = 50 А та 25 °C: 1,65 В типове, 2,10 В максимальне; при 175 °C – 1,95 В. Ptot – 305 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 120 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В). Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку в корпусі TO-247. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення
- Сонячні перетворювачі
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IGW50N65H5?
Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-247 і розпіновкою, Vces не нижче 650 В, струмом при 100 °C не менше 56 А та подібним Vce(sat). Прямих замін від виробника ми не маємо, а перевірених аналогів у нашому каталозі для цього номера немає.
Що означає заряд затвора Qg для вибору драйвера?
Qg – заряд, який драйвер має подати на затвор, щоб повністю відкрити транзистор. У IGW50N65H5 він 120 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В), тож драйвер має тягнути такий заряд.
Що означає маркування G50EH5?
G50EH5 – маркування на корпусі, за datasheet це IGW50N65H5.
Документація виробника: IGW50N65H5 Datasheet Rev.2.1.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IGW50N65H5 (Rev. 2.1).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.