Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
164,50 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GW38IH130D (STGW38IH130D) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 1300 В у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип., 2.8 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.75–5.75 В |
| Пряма напруга діода Vf | 1.9 В (If = 20 А) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний (free-wheeling) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STGW38IH130D (маркування GW38IH130D) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-3P з вбудованим антипаралельним діодом (free-wheeling). Напруга колектор-емітер Vces – 1300 В при VGE = 0. Струм колектора Ic – 33 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.1 В типова і 2.8 В максимальна при VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 3.75–5.75 В при VCE = VGE, Ic = 1 мА. Пряма напруга діода Vf – 1.9 В при If = 20 А. Вхідна ємність Cies типово 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм колектора, Vce(sat), корпус і розпіновку при однакових умовах. У документі виробника корпус TO-3P наведено як версію STGWT38IH130D з тим самим кристалом. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити, мікрохвильові печі
- Схеми з м'яким перемиканням (soft-switching), резонансні схеми
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Де застосовується GW38IH130D?
В індукційних плитах, мікрохвильових печах, схемах з м'яким перемиканням (soft-switching) і резонансних схемах.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, антипаралельний (free-wheeling). Пряма напруга діода Vf – 1.9 В при If = 20 А.
Чим замінити GW38IH130D?
Порівняйте Vces, струм колектора, Vce(sat), корпус і розпіновку при однакових умовах. У каталозі підходящих аналогів зараз немає. Інші виконання серії за даними виробника: STGWT38IH130D, STGWS38IH130D.
Документація виробника: STGW38IH130D, STGWT38IH130D, Doc ID 15697 Rev 4.
Параметри наведено за datasheet STMicroelectronics STGW38IH130D / STGWT38IH130D; струм колектора взято із заголовка документа, тому умови для нього не вказуємо.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.