Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G50T65AK5SD ( CRG50T65AK5SD ) оригінал, TO247
329,00 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD) – оригінальний IGBT-транзистор CR Micro з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Застосовується в ДБЖ (UPS).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | CRG50T65AK5SD |
| Маркування | G50T65AK5SD |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 268 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G50T65AK5SD (CRG50T65AK5SD) – IGBT-транзистор виробництва CR Micro (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) у корпусі TO-247 із вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (Tj 25 °C). Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.40 В типово, максимум 1.85 В (Ic 50 А, Vge 15 В, Tc 25 °C); при Tc 150 °C – 1.75 В типово. Вхідна ємність Cies типово 3404 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 268 Вт при Tc 25 °C і 134 Вт при 100 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Втрати вимкнення Eoff – 1.56 мДж, час спаду tf – 43 нс (Vce 400 В, Ic 50 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tj 25 °C).
Оригінал, не демонтаж. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність вбудованого діода та розпіновку корпусу TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) (Ic 50 А) 1.6 ≤ 1.3×1.4 = 1.82, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | розпіновку та вимоги до драйвера затвора перевірте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G50T65AK5SD?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом: Vces не нижче, Ic при 100 °C не менше, Vce(sat) за однакових умов вимірювання. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Між затвором та іншими виводами не має бути зв'язку, а вбудований діод колектор–емітер має проводити лише в одному напрямку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який діод вбудований у G50T65AK5SD?
Антипаралельний діод: Vf 1.61 В типово при If 50 А, Tc 25 °C; струм діода 100 А при 25 °C і 50 А при 100 °C.
Документація виробника: CRG50T65AK5SD (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.