Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор GW20NC60VD ( STGW20NC60VD ) оригінал, TO247

235,00 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GW20NC60VD (STGW20NC60VD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 600 В у корпусі TO247 із вбудованим діодом. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В (Vge = 0)
Струм колектора Ic60 А при 25 °C, 30 А при 100 °C
Напруга насичення Vce(sat)1.8 В типово, макс. 2,5 В (Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg100 нКл типово (Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє, антипаралельний, надшвидкий
Потужність розсіювання Ptot200 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал
Опис

GW20NC60VD (STGW20NC60VD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при Vge = 0. Струм колектора Ic – 60 А при 25 °C і 30 А при 100 °C (розрахунковий, за температурою корпусу). Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово (макс. 2,5 В) при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 100 нКл типово при Vce 390 В, Ic 20 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Ptot – 200 Вт при TC 25 °C. У корпусі є антипаралельний надшвидкий діод з м'яким відновленням: Vf 2 В при If 20 А, Tj 25 °C. Виробник заявляє роботу на високій частоті до 50 кГц.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус; заряд затвора впливає на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори, ДБЖ (UPS), приводи двигунів
  • SMPS та PFC у схемах з жорстким перемиканням і резонансних
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 демонтаж б/в; порівняйте заряд затвора і швидкість перемикання з datasheet Купити
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 перевірте драйвер затвора і частоту перемикання Купити
NCE60TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 перевірте драйвер затвора і частоту перемикання Купити
IRG4PC50UD Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 демонтаж б/в; у datasheet корпус позначено TO-247AC Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити GW20NC60VD?

Підбирайте IGBT на 600 В або вище, у корпусі TO-247, з вбудованим діодом і близьким струмом при 100 °C. У таблиці аналогів нижче є варіанти з нашого складу, але перевірте їх за datasheet для вашої схеми.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так, антипаралельний надшвидкий діод з м'яким відновленням: Vf 2 В при If 20 А, Tj 25 °C, trr 44 нс при If 20 А, Vr 40 В, di/dt 100 А/мкс.

На якій частоті працює GW20NC60VD?

Виробник заявляє роботу на високій частоті до 50 кГц. Втрати вимкнення Eoff – 330 мкДж типово (макс. 450) при Vcc 390 В, Ic 20 А, Rg 3,3 Ом, Vge 15 В, Tj 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: STGW20NC60VD Doc ID 9983 Rev 5 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW20NC60VD Doc ID 9983 Rev 5 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.