Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW30V60DF ( STGW30V60DF ) оригінал, TO247
306,44 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGW30V60DF (GW30V60DF) – IGBT-транзистор STMicroelectronics із вбудованим діодом у корпусі TO-247, оригінал. Для інверторів, зварювання та PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT trench gate field-stop, серія V, із діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic | 60 А (TC = 25 °C); 30 А (TC = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 163 нКл (тип., VCC = 480 В, IC = 30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 258 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
STGW30V60DF (маркування GW30V60DF) – IGBT-транзистор STMicroelectronics, серія V: trench gate field-stop, антипаралельний діод у корпусі. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА). Струм колектора Ic – 60 А при TC = 25 °C і 30 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,85 В при VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 163 нКл (типово, VCC = 480 В, IC = 30 А). Вхідна ємність Cies типово 3750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 258 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Корпус TO-247.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces (не нижче 600 В), Ic при 100 °C, Vce(sat) при тому самому струмі, наявність діода та корпус TO-247. Якщо Qg заміни значно більший, перевірте драйвер затвора. Відправка в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі.
Де застосовують
- Фотоелектричні інвертори
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювання
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Перетворювачі дуже високої частоти
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Діод є в обох; Qg порівняйте за datasheet. | Купити |
| FGH40N60SFD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.3 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) вище, ніж у STGW30V60DF, – більші втрати провідності. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Діод є в обох; затвор звірте за datasheet. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Діод є в обох; звірте драйвер затвора. | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vces вища за потрібну; діод є в обох. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg вищий, ніж у STGW30V60DF, – перевірте драйвер. | Купити |
| IRG4PC50UD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Тип IGBT інший (не field-stop) – перевірте драйвер. | Купити |
| 45N60S1 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 2 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) вище, ніж у STGW30V60DF. | Купити |
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 600, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Тип зі зворотною провідністю – звірте режим роботи за datasheet. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Тип зі зворотною провідністю та вищим Qg – перевірте драйвер і режим роботи. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STGW30V60DF?
У нашому каталозі є IGBT, що проходять правило заміни: Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C порівнянний зі струмом 30 А, Vce(sat) порівнянне, діод і корпус TO-247 однакові. Перелік – у таблиці аналогів на сторінці. Перед заміною порівняйте Qg та параметри вимкнення.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у STGW30V60DF вбудований діод?
Так, антипаралельний діод, дуже швидкий, з м'яким відновленням. Його VF типово 2,0 В при IF = 30 А, Tj 25 °C, trr типово 53 нс.
Чи можна вмикати STGW30V60DF паралельно?
За документом, Vce(sat) має позитивний температурний коефіцієнт, тому паралельне вмикання безпечне. Типовий час спаду струму tf – 19 нс при VCE = 400 В, IC = 30 А, RG = 10 Ом, Tj 25 °C.
Документація виробника: DS9531 Rev 5 (STGB30V60DF, STGW30V60DF).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.