Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247
250,04 ₴
47 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
47 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G40T60AK3SD (CRG40T60AK3SD) – IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом у корпусі TO-247 для зварювання, частотних перетворювачів та інверторів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В) |
| Pd при 25 °C | 336 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G40T60AK3SD (CRG40T60AK3SD) – n-канальний IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом, виконаний за технологією Field Stop Trench, у корпусі TO-247. За даташитом: напруга колектор–емітер Vces 650 В (при VGE = 0 В, IC = 250 мкА), струм колектора Ic 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C. Напруга насичення VCE(sat) типово 1,7 В (макс. 2,3 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C; при 125 °C – типово 2,1 В. Заряд затвора Qg типово 165 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2758 пФ (Vce 30 В). Розсіювана потужність Pd 336 Вт при TC = 25 °C і 168 Вт при TC = 100 °C. Діод: пряма напруга VF типово 1,6 В при IF = 40 А, час відновлення trr типово 48 нс.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, напругу насичення, заряд затвора і наявність вбудованого діода, а корпус має бути той самий – TO-247. Якщо заряд затвора в заміни суттєво більший, перевірте можливості драйвера. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Зварювання
- Частотні перетворювачі
- Інвертори
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | той самий корпус TO-247; Vces 650 ≥ 650; Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40; Vce(sat) 1,6 В порівнянне з 1,7 В; діод є в обох | Заряд затвора в даташиті не порівнювали – перевірте драйвер. | Купити |
| YGW75N65HP | той самий корпус TO-247; Vces 650 ≥ 650; Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40; Vce(sat) 1,65 В порівнянне з 1,7 В; діод є в обох | Документ на YGW75N65HP має позначку Preliminary; заряд затвора не порівнювали – перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G40T60AK3SD?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом: Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше 40 А (допустимо трохи нижче), порівнянна напруга насичення. Якщо заряд затвора суттєво більший за 165 нКл, перевірте драйвер. У каталозі є варіанти, що пройшли ці правила, – вони в таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить G40T60AK3SD для зварювального інвертора?
Зварювання, частотні перетворювачі, інвертори та ДБЖ вказані серед застосувань. Перед заміною порівняйте Vces 650 В, Ic 40 А при 100 °C і заряд затвора 165 нКл зі схемою.
Яка напруга колектор–емітер у G40T60AK3SD?
Vces 650 В за даташитом (при VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Орієнтуйтеся на це значення з даташита.
Документація виробника: CRG40T60AK3SD (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,25 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4530 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5…4,5 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.