Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F
107,16 ₴
47 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
47 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SW20N50D – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220F на 500 В. Струм стоку 20 А (TC = 25 °C), опір відкритого каналу до 0,25 Ом.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,25 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 42 Вт |
| Заряд затвора Qg | 82 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4530 пФ (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5…4,5 В |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
SW20N50D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220F, оригінал. Напруга стік–витік Vdss 500 В (мінімум при VGS = 0 В і ID = 250 мкА). Струм стоку Id 20 А при TC = 25 °C (обмежено температурою переходу) і 13 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,19 Ом, не більше 0,25 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,5 до 4,5 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 82 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А), вхідна ємність Ciss типово 4530 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц). Розсіювана потужність Pd для корпусу TO-220F – 42 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc 3,0 °C/Вт. Вбудований діод: пряма напруга Vsd не більше 1,4 В (IS = 20 А), час зворотного відновлення trr типово 473 нс (IS = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс). Температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у зарядних пристроях, адаптерах і LED-освітленні. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N), корпусом TO-220F і розпіновкою: Vdss не нижче 500 В, струм стоку не нижче 20 А, Rds(on) не вище 0,25 Ом при VGS = 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- зарядні пристрої
- адаптери
- LED-освітлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити SW20N50D?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою стік–витік не нижче 500 В, струмом стоку не нижче 20 А і опором відкритого каналу не вище 0,25 Ом при VGS = 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Який заряд затвора і що це означає для драйвера?
Qg типово 82 нКл при VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А. Драйвер затвора має забезпечувати перезаряд на потрібній частоті.
Що відомо про вбудований діод?
Пряма напруга Vsd не більше 1,4 В при IS = 20 А і VGS = 0 В; час зворотного відновлення trr типово 473 нс при dIF/dt = 100 А/мкс.
Документація виробника: SW20N50D (Samwin).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.