Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IR IRG4PF50WD ( G4PF50WD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
235,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PF50WD (G4PF50WD) – IGBT-транзистор IR у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | IR (International Rectifier, тепер Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | G4PF50WD |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PF50WD (на корпусі G4PF50WD) – IGBT-транзистор виробництва IR (International Rectifier, тепер Infineon) у корпусі TO-247. Цей тип приладу застосовують у силових ключах, де потрібно комутувати високу напругу. Це оригінальна деталь, не копія. Електричні параметри в картці не наведено: перед покупкою звіряйтеся з datasheet виробника, документ IRG4PF50WDPbF, PD-95233. Вхідна ємність Cies типово 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Позиція одна: ви отримуєте саме цю деталь у цьому стані. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet напругу колектор–емітер, струм колектора, напругу насичення, наявність вбудованого діода та корпус. Корпус має бути той самий, а розпіновку перевірте окремо. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Перед замовленням переконайтеся, що розміри корпусу й розташування виводів підходять до вашої плати та радіатора. Якщо сумніваєтеся, напишіть нам номер вашого пристрою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IRG4PF50WD?
Порівняйте з datasheet напругу колектор–емітер, струм колектора, напругу насичення, наявність діода та корпус. Каталог не містить підтверджених аналогів для цієї картки, тому взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Як перевірити IGBT після монтажу?
Перед пайкою прозвоніть перехід затвор–емітер і колектор–емітер тестером. Після монтажу вмикайте схему через струмообмеження.
Де на корпусі маркування?
На корпусі позначено G4PF50WD. Це скорочене маркування номера IRG4PF50WD.
Документація виробника: IRG4PF50WDPbF, PD-95233 (Infineon-IRG4PF50WD-DataSheet-v01_00-EN.pdf).
Електричні параметри в картці не наведено: звіряйтеся з datasheet виробника IRG4PF50WDPbF, PD-95233.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.