Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал, TO-247
221,84 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT зі зворотною провідністю IHW20N135R3 (маркування H20R1353) від Infineon у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | RC-IGBT, Resonant Switching, TRENCHSTOP |
| Напруга Vce | 1350 В при Tvj=25 °C |
| Струм колектора Ic | 40 А при Tc=25 °C; 20 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип. при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C; 1,90 В при Tvj=175 °C |
| Вбудований діод | є, монолітний, Vf 1,60 В тип. при IF=20 А |
| Заряд затвора QG | 195 нКл (тип., VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Потужність Ptot | 310 Вт при Tc=25 °C; 155 Вт при Tc=100 °C |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IHW20N135R3 (маркування H20R1353) – IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT) серії Resonant Switching, TRENCHSTOP, від Infineon у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vce – 1350 В при Tvj=25 °C. Струм колектора Ic – 40 А при Tc=25 °C і 20 А при Tc=100 °C. Vce(sat) – типово 1,60 В при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj=25 °C. Вбудований монолітний діод має Vf 1,60 В (тип.) при IF=20 А і призначений лише для м'якої комутації. Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ. Потужність розсіювання Ptot – 310 Вт при Tc=25 °C. Робоча температура переходу – від -40 до +175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg, тип діода і корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (індукційні плити)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми м'якої комутації
Чим замінити IHW20N135R3?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з Vce не нижче 1350 В, з таким самим або більшим струмом Ic при 100 °C (20 А) і порівнянним Vce(sat) відносно 1,60 В. Порівняйте також тип діода і заряд затвора Qg (у цієї деталі 195 нКл при VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В): якщо він суттєво більший, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить IHW20N135R3 для індукційної плити?
За даними виробника, цей RC-IGBT призначений для індукційного нагрівання, інверторних мікрохвильових печей і резонансних перетворювачів.
Що означає, що діод у IHW20N135R3 монолітний?
Це RC-IGBT: діод вбудований у той самий кристал. Він призначений лише для м'якої комутації, тому не розраховуйте на нього в схемах із жорсткою комутацією.
Документація виробника: Infineon IHW20N135R3, Resonant Switching Series, Datasheet V2.4.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IHW20N135R3, Datasheet V2.4 (2019-09-19).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.