Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал, TO-247
240,64 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT-транзистор Infineon зі вбудованим діодом, оригінал. Для індукційних плит і мікрохвильових печей.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IHW30N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА, Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,65 В, макс. 1,95 В (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 330 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
H30PR5 – маркування IGBT IHW30N135R5 виробництва Infineon у корпусі PG-TO247-3. Це RC IGBT: монолітний зворотний діод вбудований у кристал. Напруга колектор–емітер Vce – 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА, Tvj = 25 °C). Струм колектора Ic – 60 А при TC = 25 °C і 30 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,65 В, макс. 1,95 В (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tvj = 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1810 пФ. Потужність розсіювання Ptot – 330 Вт при TC = 25 °C і 165 Вт при TC = 100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vce, струм Ic при TC = 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (235 нКл при VCC = 1080 В, IC = 30 А, VGE = 15 В), наявність вбудованого діода та розпіновку корпусу. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Мікрохвильові печі
- Резонансні схеми з м'яким перемиканням
Чим замінити H30PR5?
Шукайте IGBT з вбудованим діодом у корпусі TO-247, напругою Vce не нижче 1350 В і струмом Ic не нижче 30 А при TC = 100 °C. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить H30PR5 для індукційної плити?
Так, виробник вказує індукційні плити серед застосувань. Також це мікрохвильові печі та резонансні схеми з м'яким перемиканням.
Як змінюються втрати при нагріванні?
Втрати вимкнення Eoff – 1,40 мДж при Tvj = 25 °C і 2,70 мДж при Tvj = 175 °C (VCC = 600 В, IC = 30 А, Rg = 10 Ом).
Документація виробника: IHW30N135R5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.