Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5HD ( CRG40T65AK5HD ) оригінал, TO247
250,04 ₴
38 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
38 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G40T65AK5HD (CRG40T65AK5HD) – IGBT-транзистор CRMICRO на 650 В з вбудованим діодом, у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G40T65AK5HD – IGBT-транзистор CRMICRO у корпусі TO-247, виконаний за технологією Field Stop. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat), типово – 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C (2,1 В при Tc 150 °C). Заряд затвора Qg, типово – 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf, типово – 44 нс при Vce 400 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tj 25 °C. Антипаралельний діод має Vf, типово 1,6 В при If 40 А і trr, типово 48 нс при If 40 А. Розсіювана потужність Pd – 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни підбирайте IGBT у тому самому корпусі з Vces не нижче 650 В, струмом Ic при 100 °C не менше 40 А і вбудованим діодом. Виробник називає споріднений варіант CRG40T65AN5HD, він відрізняється корпусом.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- PFC
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.65 = 2.15, діод є в обох, корпус TO-247 | Заряд затвора може відрізнятися: перевірте драйвер. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.65 = 2.15, діод є в обох, корпус TO-247 | Інша структура ключа: перевірте драйвер і режим роботи. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G40T65AK5HD?
У нашому каталозі є YGW75N65HP (650 В, Ic 75 А при 100 °C) і IHW40N120R3 (1200 В, Ic 40 А при 100 °C), обидва в корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Виробник називає споріднений варіант CRG40T65AN5HD. Порівняйте datasheet перед заміною.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в G40T65AK5HD вбудований діод?
Так, є антипаралельний діод: Vf, типово – 1,6 В при If 40 А, Tc 25 °C.
Чим відрізняються G40T65AK5HD і CRG40T65AK5HD?
Це одна й та сама деталь: CRG40T65AK5HD – повне позначення CRMICRO, G40T65AK5HD – маркування на корпусі.
Документація виробника: CRG40T65AK5HD (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор CRST025N08N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (кремній, TC 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (корпус, TC 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 152 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=90 А | 2 мОм |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 12191 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 227 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.