Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IR IRGP30B120KD-E ( IRGP30B120KD , GP30B120KD , GP30B120KD-E ) оригінал, TO247 б/в
282,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRGP30B120KD-E (GP30B120KD) – IGBT-транзистор International Rectifier з діодом у корпусі TO-247. Оригінал, б/в.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Vce(on) (IC 25 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) | 2.28 В |
| Заряд затвора Qg | 169 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRGP30B120KD-E – IGBT-транзистор International Rectifier з вбудованим діодом (Co-Pack) у корпусі TO-247AD з подовженими виводами. У назві також IRGP30B120KD, GP30B120KD та GP30B120KD-E. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 30 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(on) – 2.28 В (IC 25 А, VGE 15 В, TJ 25 °C; typ.), при TJ 125 °C – 2.74 В. Заряд затвора Qg – 169 нКл (IC 25 А, VCC 600 В, VGE 15 В; typ.). Вхідна ємність Cies типово 2200 пФ (Vce 30 В). Потужність розсіювання – 300 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод ультрашвидкий з м’яким відновленням: Vf 1.76 В (IC 25 А, TJ 25 °C; typ.), trr 300 нс (VCC 600 В, IC 25 А, TJ 125 °C). Стійкість до короткого замикання – не менше 10 мкс (TJ 150 °C, VCC 900 В).
Оригінал, б/в. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247, напругу не нижче 1200 В і струм при 100 °C, а також на заряд затвора і тип діода. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Керування двигунами (Co-Pack IGBT)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRG4PH50UD | Vces 1200 ≥ 1200; Ic(100 °C) 24 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 2.78 В (IC 24 А) ≤ 1.3×2.28; діод є; корпус TO-247 | струм на межі правила; перевірте драйвер | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200; Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30; Vce(sat) 1,55 В (IC 40 А) ≤ 1.3×2.28; діод є; корпус TO-247 | зворотно-провідний IGBT для м’якої комутації; перевірте, чи підходить для вашої схеми | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, б/в.
Чим замінити IRGP30B120KD-E?
У каталозі є IGBT у корпусі TO-247 з напругою не нижче 1200 В: IRG4PH50UD та IHW40N120R3. IHW40N120R3 – зворотно-провідний, для м’якої комутації. Порівняйте заряд затвора, діод і режим роботи зі своєю схемою.
Чим відрізняються IRGP30B120KD та IRGP30B120KD-E?
У назві товару вони наведені як позначення однієї деталі. Параметри в описі взято з даташиту на IRGP30B120KD-E.
Для чого застосовують цей IGBT?
За даташитом це Co-Pack IGBT для керування двигунами, з квадратною областю безпечної роботи при зворотному зміщенні (RBSOA).
Документація виробника: IRGP30B120KD-E (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.