Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор GS6B60KD ( IRGS6B60KD ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
164,50 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GS6B60KD (IRGS6B60KD) – IGBT-транзистор з ультрашвидким діодом у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал з ультрашвидким діодом (NPT) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 18 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 10 А |
| Імпульсний струм Icm | 26 А |
| Vce(on) (Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,80 В тип. |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 90 Вт |
| Заряд затвора Qg | 18,2 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GS6B60KD (у datasheet Infineon – IRGS6B60KD) – n-канальний IGBT-транзистор Infineon (International Rectifier) з ультрашвидким діодом у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 18 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 26 А. Напруга насичення Vce(on) – 1,80 В типово при Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Напруга затвор–емітер Vge – ±20 В, потужність розсіювання Pd – 90 Вт при Tc 25 °C. Стійкість до короткого замикання – 10 мкс при Tj 150 °C, Vcc 360 В, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on), заряд затвора Qg (18,2 нКл при Ic 5 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) і корпус. Виробник випускає цю серію також у корпусах TO-220AB (IRGB6B60KD) і TO-262 (IRGSL6B60KD), але вони не підійдуть замість D2PAK без зміни плати.
Де застосовують
- Керування двигунами
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GS6B60KD?
Підбирайте IGBT у корпусі D2PAK з не меншою напругою Vces, струмом Ic при Tc 100 °C не нижче за 10 А, порівнянними Vce(on) і Qg та вбудованим швидким діодом. Порівнюйте за datasheet обох деталей.
Чи є GS6B60KD те саме, що IRGS6B60KD?
У назві товару вказані обидва позначення: GS6B60KD – коротке маркування, IRGS6B60KD – повне позначення з datasheet Infineon.
Який діод вбудований в GS6B60KD?
Ультрашвидкий: Vfm 1,25 В типово при If 5 А, trr 70 нс типово при If 5 А, Vcc 400 В, Tj 150 °C.
Документація виробника: PD-95229C, IRGB/S/SL6B60KDPbF.
Параметри наведено за datasheet виробника PD-95229C на IRGS6B60KD.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.