Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор GS4B60KD1 ( IRGS4B60KD1 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
141,00 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GS4B60KD1 (IRGS4B60KD1) з вбудованим діодом у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 11 А |
| Струм Ic (100 °C) | 7.6 А |
| Напруга VCE(on) | 2.1 В (тип., IC = 4.0 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Потужність Pd | 63 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 190 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GS4B60KD1 (IRGS4B60KD1) – n-канальний IGBT-транзистор International Rectifier зі вбудованим ультрашвидким діодом м'якого відновлення, корпус D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мкА). Струм колектора Ic – 11 А при TC = 25 °C і 7.6 А при TC = 100 °C. Напруга насичення VCE(on) – 2.1 В типово при IC = 4.0 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C. Розсіювана потужність Pd – 63 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вхідна ємність Cies типово 190 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм, VCE(on) і корпус. Виробник у документі називає також IRGB4B60KD1PbF та IRGSL4B60KD1; перед заміною звіряйте корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами: документ вказує високу ефективність у приводі, низький EMI та рівномірний розподіл струму при паралельному вмиканні.
Чим замінити GS4B60KD1?
Шукайте IGBT з вбудованим діодом у корпусі D2PAK, у якого Vces не нижча за 600 В, а Ic при 100 °C не нижчий за 7.6 А. Виробник називає також IRGB4B60KD1PbF та IRGSL4B60KD1, але перед заміною перевірте їхній корпус.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в GS4B60KD1 вбудований діод?
Так, вбудований ультрашвидкий діод м'якого відновлення. Його пряма напруга – 1.4 В типово при IF = 4.0 А, TJ = 25 °C.
Який номер вказувати при пошуку – GS4B60KD1 чи IRGS4B60KD1?
Обидва номери вказані в назві товару разом. Корпус цієї позиції – D2PAK.
Документація виробника: IRGS4B60KD1 (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.