Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
250,04 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G75T65AK5HD (CRG75T65AK5HD) – IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом для UPS. Оригінал, корпус TO-247.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G75T65AK5HD (CRG75T65AK5HD) – IGBT-транзистор виробництва CRMICRO за технологією Field Stop з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 90 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 300 А при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C), максимум 2.1 В. Потужність розсіювання – 468 Вт при Tc 25 °C і 234 Вт при Tc 100 °C. Заряд затвора Qg – 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Вбудований діод має Vf 1.65 В (typ, If 75 А, Tc 25 °C) і trr 59 нс (typ, If 75 А, di/dt 200 А/мкс). Максимальна температура переходу – 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Корпус TO-247, тому радіатор і ізоляційну прокладку підбирайте під цей корпус. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і наявність діода в корпусі, а також заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- UPS (безперебійне живлення)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75, Vce(sat) 1.65 В при Ic 75 А, Vge 15 В не вище, ніж у G75T65AK5HD, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте заряд затвора Qg і швидкість перемикання з вашим драйвером. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G75T65AK5HD?
Підходить IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, Vces не нижче 650 В і Ic при Tc 100 °C не менше 75 А. У нашому каталозі є YGW75N65HP. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у G75T65AK5HD вбудований діод?
Так. Вбудований діод розрахований на If 90 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує G75T65AK5HD?
Ic 90 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Імпульсний Icm – 300 А при Tc 25 °C.
Документація виробника: CRG75T65AK5HD (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 116 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип | MOSFET, N-канал, Super Trench |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 В, ID=250 µA, TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 100 А |
| Rds(on) | 5.6 мОм тип., 6.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=70 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл (VDS=75 В, ID=70 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 320 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.