Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220
124,55 ₴
131 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
131 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG065N15 – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-220 на 150 В. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 165 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id при 100 °C | 116 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) typ. | 6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм) |
| Vgs(th) | 3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
HYG065N15 – польовий транзистор з N-каналом виробництва HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 150 В, струм стоку Id – 165 А при Tc 25 °C і 116 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) typ. – 6.2 мОм при Vgs 10 В, Id 100 А (макс. 7.5 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 3.2 В (діапазон 2–4 В), заряд затвора Qg – 96 нКл при Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 375 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод має trr 141.7 нс при Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс. Параметри наведено за даташитом HYG065N15NS1P (HUAYI).
Товар – оригінал, не демонтаж. HYG065N15 може замінити PW065N15CS; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору заміни іншої деталі порівнюйте напругу, струм, Rds(on), заряд затвора і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові комутаційні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Чи може HYG065N15 замінити PW065N15CS?
HYG065N15 може замінити PW065N15CS. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус?
Корпус TO-220 (за даташитом TO-220FB-3L). Перед монтажем звірте розпіновку з даташитом.
Що врахувати при підборі драйвера затвора?
Заряд затвора Qg – 96 нКл при Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3.2 В, діапазон 2–4 В.
Документація виробника: HYG065N15NS1P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.