Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30T100 ( IHW30N100T ) оригінал, TO-247
564,00 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30T100 (IHW30N100T) – IGBT-транзистор Infineon на 1000 В з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1000 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 1.55 В тип. (макс. 1.7 В) при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C |
| Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3573 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Ptot | 412 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
H30T100 (IHW30N100T) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі PG-TO-247-3-21 з антипаралельним діодом, розрахований на мікрохвильові печі та схеми м'якого перемикання (soft switching). Напруга колектор–емітер Vce – 1000 В (VGE = 0 В, IC = 500 мкА). Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.55 В типово (макс. 1.7 В) при IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C; при Tj 175 °C – 1.8 В типово. Порогова напруга Vge(th) – 5.8 В типово (діапазон 5.1–6.4 В). Заряд затвора Qg – 217 нКл (VCC = 800 В, IC = 30 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 3573 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff – 2.1 мДж типово (VCC = 600 В, IC = 30 А, Rg = 26.9 Ом, Tj 25 °C), час спаду tf – 48 нс. Потужність розсіювання – 412 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, у корпусі TO-247. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat) при тому самому струмі, наявність діода, заряд затвора Qg і корпус; значення порівнюйте з однаковими умовами вимірювання. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Мікрохвильові печі
- Схеми м'якого перемикання (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити H30T100?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vce не нижче 1000 В, Ic при 100 °C близьким до 30 А, вбудованим діодом і порівнянним Vce(sat) при IC = 30 А. Деталь також позначається як IHW30N100T. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.
Чи є у H30T100 вбудований діод?
Так, антипаралельний: If 22 А при Tc 25 °C і 12 А при Tc 100 °C. Vf 1.1 В типово при IF = 10 А.
Для чого використовують H30T100?
Для мікрохвильових печей і схем м'якого перемикання (soft switching).
Документація виробника: IHW30N100T (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.