Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AN5H ( CRG40T65AN5H ) оригінал, TO3P
164,50 ₴
51 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
51 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G40T65AN5H (CRG40T65AN5H) – IGBT-транзистор CRMICRO на 650 В з вбудованим діодом, у корпусі TO-3PN (TO3P). Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
G40T65AN5H – IGBT-транзистор CRMICRO у корпусі TO-3PN, виконаний за технологією Field Stop. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat), типово – 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C (2,1 В при Tc 150 °C). Заряд затвора Qg, типово – 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf, типово – 44 нс при Vce 400 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tj 25 °C. Антипаралельний діод має Vf, типово 1,33 В при If 20 А і trr, типово 60 нс. Розсіювана потужність Pd – 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни підбирайте IGBT у тому самому корпусі з Vces не нижче 650 В, струмом Ic при 100 °C не менше 40 А і вбудованим діодом. Споріднений варіант серії – CRG40T65AK5H.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- PFC
Чим замінити G40T65AN5H?
Прямого аналога в нашому каталозі немає. Виробник називає споріднений варіант CRG40T65AK5H. Порівняйте datasheet перед заміною.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в G40T65AN5H вбудований діод?
Так, є антипаралельний діод: Vf, типово – 1,33 В при If 20 А, Tc 25 °C.
Чим відрізняються G40T65AN5H і CRG40T65AN5H?
Це одна й та сама деталь: CRG40T65AN5H – повне позначення CRMICRO, G40T65AN5H – маркування на корпусі.
Документація виробника: CRG40T65AN5H (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.