Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247
345,92 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30SR5 (IHW30N160R5) – IGBT-транзистор Infineon на 1600 В зі зворотним діодом у корпусі TO-247. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | є, монолітний зворотний (reverse conducting) |
| Потужність розсіювання Ptot | 263 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
H30SR5 (IHW30N160R5) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі PG-TO247-3 з монолітним зворотним діодом (reverse conducting). Напруга колектор–емітер Vce – 1600 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 39 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В типово (макс. 2,15 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C; при 175 °C – 2.40 В. Заряд затвора Qg – 205 нКл типово при Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ. Втрати вимкнення Eoff – 2.00 мДж при Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом. Потужність розсіювання Ptot – 263 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vce, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода, корпус і заряд затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Мікрохвильові печі (резонансне перемикання, серія Resonant Switching)
Чим замінити H30SR5?
Підбирайте IGBT із зворотним діодом на 1600 В або вище, у корпусі TO-247, з близьким струмом при 100 °C. Перед заміною порівняйте datasheet, особливо для резонансних схем.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для яких пристроїв підходить H30SR5?
Виробник призначає серію для індукційних плит та мікрохвильових печей, де використовується резонансне перемикання.
Чи є в H30SR5 вбудований діод?
Так, монолітний зворотний діод: Vf 2.00 В типово (макс. 2,30 В) при If 30 А, Tvj 25 °C.
Документація виробника: IHW30N160R5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.