Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал, TO247

235,00 ₴

22 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

22 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GW39NC60VD (STGW39NC60VD) – оригінальний IGBT-транзистор STMicroelectronics 600 В з надшвидким діодом у корпусі TO-247.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В (Vge = 0)
Струм колектора Ic (TC 25 °C)80 А
Струм колектора Ic (TC 100 °C)40 А
Імпульсний струм Icp220 А
Напруга насичення Vce(sat)1.8 В (typ., Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C)
Заряд затвора Qg126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє (надшвидкий)
Потужність Ptot250 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

GW39NC60VD (STGW39NC60VD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-247 зі вбудованим надшвидким діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (Vge = 0). Струм колектора Ic – 80 А при TC 25 °C і 40 А при TC 100 °C (розрахункові значення), імпульсний струм Icp – 220 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово (Vge 15 В, Ic 30 А, TC 25 °C), при TC 125 °C – 1.7 В. Заряд затвора Qg – 126 нКл (Vce 390 В, Ic 30 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 65 нс (Vcc 390 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, TC 25 °C). Потужність Ptot – 250 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод: Vf 2.4 В при If 30 А, TC 25 °C; trr 45 нс.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус TO-247. Заряд затвора й технологію різних IGBT звіряйте з драйвером за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори
  • ДБЖ (UPS)
  • Приводи двигунів
  • Індукційний нагрів
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Інша технологія й заряд затвора: перевірте драйвер. Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Інша технологія й заряд затвора: перевірте драйвер. Купити
NCE60TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Інша технологія й заряд затвора: перевірте драйвер. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити GW39NC60VD?

З нашого каталогу підходять IGBT на 600 В і вище, з діодом і корпусом TO-247 та близьким струмом при 100 °C; приклади – у таблиці аналогів. Заряд затвора й параметри драйвера порівняйте за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Де застосовується GW39NC60VD?

У високочастотних інверторах, ДБЖ (UPS), приводах двигунів та індукційному нагріві.

Чи є у GW39NC60VD вбудований діод?

Так, надшвидкий діод у спільному корпусі з IGBT: Vf 2.4 В при If 30 А, TC 25 °C; trr 45 нс.

Datasheet

Документація виробника: STGW39NC60VD Rev 8 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW39NC60VD Rev 8 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.