Магазин
Діод STTH15R06FP оригінал (600V,15A) , TO220F-2pin ( Заміна для 15ETH06FP , ETH1506FP , MURF1560 , SDURF1560 , STTH12R06FP , SF1008F , SF1006F , YG972S6 , STTH8S06 , UD1006 , UD1006FR )
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діод ультришвидкий (Turbo 2) |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Vrrm | 600 В |
| If(av) | 15 А |
| If(rms) | 30 А |
| Ifsm | 150 А (Tp = 10 мс, синусоїда, неповторюваний) |
| Vf (макс.) | 2.9 В при If = 15 А, Tj 25 °C |
| Vf (макс.) при 125 °C | 1.8 В при If = 15 А, Tj 125 °C |
| trr (макс.) | 50 нс (Tj 25 °C, If = 1 А, dIf/dt = -50 А/мкс, Vr = 30 В) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Стан | Оригінал |
Діод 10A10 (10A,1000V) ( замінює 6A10 )
В наявності
10,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А (TA 50 °C, однофазний півперіод 60 Гц) |
| Піковий струм Ifsm | 600 А (8,3 мс, півсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1 В (If 10 А DC) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (TJ 25 °C); 100 мкА (TJ 100 °C) |
| Корпус | R-6 |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SFD оригінал демонтаж , TO247 (Заміна для 30N60F , NGTB30N60FWG , HGTG12N60A4D , 12N60A4D )
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (40 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2,3 В |
| Потужність Pd (25 °C) | 290 Вт |
| Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор STGB10NB37LZ оригінал , D2PAK ( GB10NB37LZ )
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга обмеження Vces(clamped) | 410 В тип. (Ic 2 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 20 А |
| Струм Ic при 100 °C | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В тип. (Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор K30N60HS ( SKW30N60HS , SKW30N60 ) оригінал, TO-247
В наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 41 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 2,8 В тип. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор G80N60UFD ( SGH80N60UFD ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH80N60UFD , FGH80N60FD ), TO-3P
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 2,1 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 195 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2790 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (швидкий, CO-PAK) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP63F3 оригінал , TO220F
В наявності
178,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм колектора Ic | 40 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В типово, 2.2 В макс. при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 40 А |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 100 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H2A , D2PAK
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 35 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.4 В типово, 1.9 В макс. при Ic 35 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30H1 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT без зворотного діода |
| Напруга Vces | 360 В |
| Струм колектора Ic | 30 А при Ta 25 °C |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW до 10 мкс, шпаруватість до 1 %) |
| Vce(sat) | 1.5 В типово, 2 В макс. при Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(off) | 2.5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл при Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 30 А |
| Вхідна ємність Cies | 740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 150 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30E4 , D2PAK
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 1,6 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP30E2 оригинал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
127,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.2 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Порогова напруга Vge(off) | 2.5 В мін., 5 В макс. (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge 15 В, Vce 150 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, Vge 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP3047 оригінал , TO-3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH60F5 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.37 В (тип.), 1.8 В (макс.) |
| Vge(off) (Vce 10 В, Ic 1 мА) | 4–8 В |
| Час спаду tf | 68 нс |
| Вбудований швидкий діод | є, trr 25 нс (If 30 А) |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 260.4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Renesas |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJH30E2 оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 30 А (температура в документі не вказана) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В (типове значення, умови в документі не вказані) |
| Час спаду tf | 150 нс (типове значення) |
| Вбудований діод | Є, швидкий (fast recovery) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.4 В (типове значення) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 23 нс (типове значення) |
| Потужність розсіювання Pc | 20 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJH3047 оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ.) |
| Вбудований діод | є |
| Тип | IGBT для плазмових панелей (PDP) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K30T60 ( IKW30N60T ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 45 А (Tc 25 °C), 39 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C) |
| Діод Vf | 1,65 В тип. (If 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (Vcc 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Потужність Ptot | 187 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | K30T60 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K30H603 (IKW30N60H3) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,95 В тип., 2,40 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Діод Vf | 1,65 В тип. (If 15 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (Vcc 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Потужність Ptot | 187 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IXGQ90N33TCD1 оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (Tj 25–150 °C) | 330 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм колектора Ic (Tc 110 °C) | 38 А |
| Імпульсний струм Icp | 360 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 45 А, Tj 25 °C) | 1.54 В (тип.), 1.80 В (макс.) |
| Vge(th) (Ic 250 мкА, Vce = Vge) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 49 нс |
| Зворотний діод | є, Vf макс. 2.0 В при If 20 А |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4086 оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер (мін.) BVCES | 300 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C, Vge 15 В) | 70 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C, Vge 15 В) | 40 А |
| Повторюваний піковий струм Irp (Tc 25 °C) | 250 А |
| Vce(on) (Ic 70 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.90 В (тип.), 2.10 В (макс.) |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 500 мкА) | 2.6–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 2250 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4068D-E ( IRGP4068D ) оригінал демонтаж б/в (заміна для IRGP4069D ) , TO247
В наявності
208,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 96 А (Tc 25 °C); 48 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.14 В макс. (Ic 48 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В (Vce = Vge, Ic 1.4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл тип. (Ic 48 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3025 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, ultra-low Vf hyperfast |
| Потужність Pd | 330 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 175 °C макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4063D оригінал демонтаж б/в(600V,96A,330W) , TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 96 А (TC = 25 °C); 48 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,65 В тип., 2,14 В макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 330 Вт (TC = 25 °C); 170 Вт (TC = 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4,0–6,5 В (Vce = Vge, Ic = 1,4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл тип., 140 нКл макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Vcc = 400 В) |
| Вбудований діод | так, ultrafast soft recovery (Co-Pak) |
| Тип каналу | n-канал |
| Робоча температура переходу | від –55 до +175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRG7S313U , D2PAK
В наявності
74,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | від 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C, Vge 15 В); 20 А (Tc 100 °C, Vge 15 В) |
| Піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C, імпульс) |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.2–4.7 В (Vce = Vge, Ic 1.0 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd | 78 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 150 °C макс. |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) оригінал (Заміна для IRG7R313U ) , DPAK
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Номер деталі | GT30F133 (30F133) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH50UD ( G4PH50UD ) оригінал демонтаж б/в(1200V,45A) , TO247
В наявності
243,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 45 А (Tc 25 °C); 24 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 2.78 В тип., 3.7 В макс. (Ic 24 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–6.0 В (Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 24 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, HEXFRED |
| Температура Tj | –55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH40UD оригінал демонтаж б/в( IRG4PH40UD2-E ) (1200V,41A,160W) , TO247
В наявності
243,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (IRF) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 41 А (TC = 25 °C) |
| Струм Ic (100 °C) | 21 А (TC = 100 °C) |
| Vce(on) | 2,43 В тип., 3,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 21 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Діод | є, HEXFRED, надшвидкий, м’який |
| Температура переходу Tj | −55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGF20N65T2 оригінал , TO220F
В наявності
122,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Номінальний струм Ic | 20 А |
| Vce(sat) | 1.65 В тип., 2.05 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.4–6.4 В (Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F) | 30.6 Вт (Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Діод | є, Vf 1.9 В тип. (If 20 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K20T60 ( IKW20N60T ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 166 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1100 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Діод | є, EmCon HE, If = 20 А (Tc = 100 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC50UD ( G4PC50UD ) оригінал демонтаж б/в (600V,55A,200W) , TO247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 55 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 27 А (Tc = 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.0 В макс. (Ic = 27 А, Vge = 15 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є, HEXFRED, If = 25 А (Tc = 100 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC50U ( G4PC50U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал UltraFast, без вбудованого діода |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 55 А |
| Струм Ic при 100 °C | 27 А |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Vce(on) тип. | 1,65 В (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Qg тип. | 180 нКл (IC = 27 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40W ( G4PC40W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал, без вбудованого діода |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(on) тип. | 2,05 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Ets тип. | 0,34 мДж (IC = 20 А, VCC = 480 В, VGE = 15 В, RG = 10 Ом, Tj 25 °C) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40UD ( G4PC40UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
213,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з антипаралельним діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1,72 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод If | 15 А (TC = 100 °C) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор HGTG10N120BND оригінал (1200V,35A,298W) , TO247
В наявності
202,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | IGBT NPT з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга BVCES | 1200 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм IC25 | 35 А (TC = 25 °C) |
| Струм IC110 | 17 А (TC = 110 °C) |
| Імпульсний струм ICM | 80 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 2,45 В тип., 2,7 В макс. (IC = 10 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(ON) | 100 нКл тип., 120 нКл макс. |
| Розсіювана потужність PD | 298 Вт (TC = 25 °C) |
| Діапазон температур переходу TJ | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,42 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
206,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching |
| Напруга V(BR)CES | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА) |
| Струм IC | 40 А (TC = 25 °C); 20 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм ICpuls | 60 А |
| Напруга насичення VCEsat | 1,48 В тип., 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга діода VF | 1,55 В тип., 1,75 В макс. (IF = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Порогова напруга VGE(th) | 5,8 В тип. (IC = 0,50 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора QG | 211 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1503 пФ |
| Розсіювана потужність Ptot | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,48 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1202 ( IHW20N120R2 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для H20R120 , IHW20N120R ), TO-247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Soft Switching |
| Напруга VCE | 1200 В |
| Номінальний струм IC | 20 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1,55 В (Tj = 25 °C, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Макс. температура переходу Tj,max | 175 °C |
| Напруга затвор–емітер VGE | ±20 В (перехідна, tp < 5 мс, ±25 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,45 К/Вт (макс.) |
| Вбудований діод | є, монолітний (body diode) |
| Корпус | TO-247 |
| Вхідна ємність Cies | 1887 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 30.0 А |
| Струм Ic (100 °C) | 15.0 А |
| Vce(sat) (15А/15В/25°C) | 1.48 В тип. / 1.70 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.55 В тип. / 1.75 В макс. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Розсіювана потужність Ptot | 254.0 Вт |
| Максимальна Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW45HF60WD оригінал демонтаж б/в ( STGW45HF60WD , GW45HF60WDA , GW45HF60WDB , STGW45HF60WDB , STGW45HF60WDA , STGW45HF60WDI ) , TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 70 А |
| Струм Ic при 100 °C | 45 А |
| Імпульсний струм Icp | 150 А |
| Потужність Ptot | 250 Вт при Tc = 25 °C |
| Vce(sat) | 1.68–2.50 В при Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT60N321 оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
256,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 60 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 170 Вт при Tc = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ |
| Vge | ±25 В |
| Tj max | 150 °C |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT50N322A ( 50N322A ) оригінал, TO-218
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Порогова напруга Vge(off) | 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT45G122 оригінал демонтаж б/в ( GT45G123 , GT45G124 ) , TO220F
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 400 В |
| Напруга насичення Vce(sat), тип. | 2,4 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT35J321 оригінал, TO-3P(N)IS
В наявності
379,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 37 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 18 А |
| Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.) | 1,9 В |
| Потужність Pc (Tc = 25 °C) | 75 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |