Магазин
Діод Шоттки G4H06510AT оригінал, TO220-2pin
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Global Power Technology (GPT) |
| Тип | Діод Шотткі карбід-кремнієвий (SiC), одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 650 В |
| Постійний прямий струм If | 10 А (Tc = 143,5 °C); 12,8 А (Tc = 125 °C); 24 А (Tc = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf (тип. / макс.) | 1,5 / 1,7 В (If = 10 А, Tj = 25 °C); 2,1 / 2,5 В (If = 10 А, Tj = 175 °C) |
| Ємнісний заряд Qc | 19 нКл (тип.) |
| Розсіювана потужність Ptot | 96 Вт (Tc = 25 °C); 41 Вт (Tc = 110 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) | 1,57 °C/Вт (тип.) |
| Ємність переходу C (тип. / макс.) | 370 / 390 пФ (Vr = 0 В, Tj = 25 °C, f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-P ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 80 А (обмежено Tj max) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; макс. 1,95 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1–6,5 В (Vce = Vge, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (м’який, швидкий) |
| Розсіювана потужність Pd | 136 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4D ( HGTG30N60A4D ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Діод VEC типово | 2.2 В (IEC = 30 А) |
| Діод trr типово | 40 нс (IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс) |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | антипаралельний швидкий |
| Корпус | TO-247-3LD (short lead) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4 ( HGTG30N60A4 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А (TC = 25 °C) |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер VGES | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема MIP532 , DIP7
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Частота перемикання | 100 кГц (типове, 90–110 кГц; Ta 25 °C) |
| Напруга запуску VDD | 5,9 В (типове, 5,4–6,4 В; Ta 25 °C) |
| Напруга зупинки VDD | 4,9 В (типове, 4,4–5,4 В; Ta 25 °C) |
| Максимальний час відкритого стану | 13 мкс (типове, 9,4–16,6 мкс; VDD = VDD(ON), VD 5 В) |
| Напруга захисту від перевантаження на FB | 4,3 В (типове, 3,7–4,8 В; Ta 25 °C) |
Мікросхема PN8055H , sop7
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 800 В (мінімум; ISW 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 500 мА (типове; TA 25 °C, VDD 14 В) |
| Вихідна потужність | 3 Вт (15 В / 200 мА, 150–265 В AC); 2,25 Вт (15 В / 150 мА, 85–265 В AC) |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг відключення VDD | 9 В |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема RS8454P ( RS8454PXP ) оригінал, so-14
В наявності
124,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Чотириканальний операційний підсилювач, rail-to-rail на виході |
| Напруга живлення | 5–36 В або ±2,5–±18 В (25 °C) |
| GBW | 8 МГц (25 °C, RL = 10 кОм) |
| Slew Rate | 5 В/мкс (25 °C, RL = 10 кОм) |
| Напруга зміщення входу | ±0,5 мВ typ, ±1,5 мВ max |
| PSRR | 110 дБ typ (93 дБ min) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ETA1467 ( ETA1467S2G , G1xx ) оригінал, sot23-6
В наявності
124,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Синхронний понижувальний DC-DC перетворювач, адаптивний COT |
| Вхідна напруга | 4,5–18 В |
| Вихідний струм | до 3 А |
| Вихідна напруга | 0,8–5,5 В |
| Частота перемикання | 700 кГц (typ) |
| Опір верхнього ключа | 110 мОм (typ) |
| Опір нижнього ключа | 65 мОм (typ) |
| Обмеження струму верхнього ключа | 3,8 А (typ) |
| Захист OVP на вході | 19 В |
| Діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-6 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор WSF70P03 оригінал, DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга стік–витік Vds | -30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -57 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS=-10 В) | -36 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -180 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-30 А) | 7.5 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-15 А) | 12 мОм тип., 16 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0 … -2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3448 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 52.1 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Winsok Semicon |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема OB2365TCP , so-8
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга пробою MOSFET BVdss | 600 В (мінімум) |
| Опір Rdson | 2,2 Ом |
| Вихідна потужність | 23 Вт (230 В AC ±15 %); 18 Вт (85–265 В AC) |
| Частота перемикання | 65 кГц (типове, VDD 15 В, FB 3 В) |
| Поріг UVLO вхід/вихід | 7,5 В / 17 В |
| Захист VDD від перенапруги | 28 В |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSPNR , NSI66 0AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sop-16
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SO-16 |
| Піковий вихідний струм | 4 А витікаючий, 6 А втікаючий (на канал) |
| Напруга живлення VDDA/VDDB | 7–25 В (рекомендовані умови; абсолютний максимум 30 В) |
| Напруга живлення VDDI | 3–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Затримка tPD | 25 нс (typ) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (typ) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Ізоляція | 3000 В RMS, 1 хвилина (корпус SOP16) |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR80FU20NCT оригінал, TO3P-3pin
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Тип | Діод швидкого відновлення, здвоєний |
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм на один діод | 40 А (Tc 135 °C) |
| Середній прямий струм на корпус | 80 А (Tc 135 °C) |
| Повторюваний піковий струм IFRM | 60 А (на один діод) |
| Пряма напруга Vf | 0,95 В тип., 1,1 В макс. (IF = 40 А, Tc 25 °C) |
| Час зворотного відновлення trr | 27 нс тип., 40 нс макс. (VR = 30 В, IF = 1 А, -dI/dt = 50 А/мкс) |
| Діапазон температури переходу Tj | -55…150 °C |
| Тепловий опір RthJC | 0,55 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR80FU40DCT оригінал, TO3P-3pin
В наявності
134,89 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Тип | Діод швидкого відновлення, здвоєний |
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 40 А на один діод, 80 А на корпус (Tc 25 °C) |
| Повторюваний піковий струм IFRM | 50 А на один діод |
| Ударний струм IFSM | 400 А |
| Пряма напруга Vf | 1,25 В тип., 1,50 В макс. (IF 40 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 33 нс тип., 45 нс макс. (VR 30 В, IF 1 А, -dI/dt 50 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CW7815 оригінал, DPAK
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo (typ) | 15 В |
| Номінальний вихідний струм | 1.5 А |
| Макс. вхідна напруга | 35 В |
| Мін. різниця вхід–вихід | 3 В |
| Струм спокою Iq (max, 25 °C, Vi 20 В, Io 500 мА) | 8 мА |
| Придушення пульсацій (min, Vi 20 В, Io 500 мА, 100 Гц) | 54 дБ |
| Температура зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP4568 оригінал (150V,171A), TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 150 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 171 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 121 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) тип. | 4.8 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 5.9 мОм (VGS 10 В, ID 103 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 151 нКл, макс. 227 нКл (VGS 10 В, VDS 75 В, ID 103 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 10470 пФ |
| Потужність Pd | 517 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N04E оригінал, D2PAK
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 180 А (TC 25 °C); 126 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.7 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2.1 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 1–3 В, тип. 2 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.3 нКл (VGS 10 В, VDD 20 В, ID 85 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4557 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NJM4565D0 ( NJM4565DD , NJM4565 , 4565DD , 4565D0 ) , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний операційний підсилювач |
| Виробник | Nisshinbo Micro Devices (NJR) |
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення | ±4…±18 В |
| Швидкість наростання | 4 В/мкс (typ., ±15 В, 25 °C) |
| Струм споживання | 4,5 мА typ. / 7 мА max (±15 В, 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (DIP8, 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
Транзистор IRFB7537 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 173 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 122 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2.75 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3.30 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,7 В (VDS = VGS, ID 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл, макс. 210 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1404Z ( F1404Z ) оригінал, TO220
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (кристал) | 180 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 120 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2,7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Rds(on) макс. | 3,7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4340 пФ |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK
В наявності
105,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 215 А |
| Струм Id (100 °C) | 136 А |
| Rds(on) тип. | 3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Rds(on) макс. | 3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) |
| Qg | 84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4797 пФ |
| Pd (25 °C) | 312 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | від -55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC27624 ( UCC27624DR , U27624 , 27624 ) оригінал, so-8
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Двоканальний нижньоплечовий драйвер затвора |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм source/sink | 5 А на канал (typ) |
| Напруга живлення VDD | 4.5–26 В (рекомендовані), 30 В абсолютний максимум |
| Поріг UVLO | 4.1 В (typ) |
| Час наростання | 6 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В) |
| Час спаду | 10 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ, VDD = 12 В) |
| Затримка розповсюдження | 17 нс (typ) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC27424 ( UCC27424DR , 27424 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний нижньоплечовий драйвер MOSFET, неінвертуючий |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм на канал | 4 А (sink/source, у зоні плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Час наростання | 20 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Час спаду | 15 нс (typ, CLOAD = 1.8 нФ) |
| Входи | Сумісні з TTL/CMOS |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D), 4.90 x 3.91 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513B ( UCC23513BDWYR , UC23513B ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Одноканальний ізольований драйвер затвора |
| Виробник | Texas Instruments |
| Піковий струм source | 4.5 А (typ, IF = 10 мА, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Піковий струм sink | 5.3 А (typ, VF = 0 В, VCC = 15 В, CLOAD = 0.18 мкФ) |
| Ізоляція | 5700 В RMS, 60 с |
| Напруга живлення VCC-VEE | 10–33 В |
| Поріг UVLO (зростання) | 8.5 В |
| Струм вхідного діода | 7–16 мА |
| CMTI | 150 кВ/мкс (мін., VCM = 1500 В) |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UCC23513 ( UCC23513DWYR , UC23513 ) оригінал, SOIC-6-300mil
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | Одноканальний ізольований драйвер затвора IGBT, MOSFET і SiC MOSFET з оптосумісним входом |
| Піковий вихідний струм (джерело) | 4,5 А |
| Піковий вихідний струм (стік) | 5,3 А |
| Напруга живлення вихідної сторони, макс. | 33 В (VCC-VEE) |
| Робочий прямий струм входу | 7–16 мА |
| Затримка розповсюдження, макс. | 105 нс (Cg = 1 нФ, VCC = 15–30 В) |
| CMTI, мін. | 150 кВ/мкс |
| Ізоляція | 5,7 кВ (RMS), підсилена, 1 хвилина, UL 1577 |
| Температура переходу TJ | -40…+150 °C |
| Корпус | SO-6 (розтягнутий) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS042N10N оригінал, D2PAK
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C, кристал) | 172 А |
| Струм Id (25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (100 °C, кристал) | 109 А |
| Rds(on) тип. | 3,4 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Rds(on) макс. | 4,2 мОм (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd (25 °C) | 227 Вт |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Tj, Tstg (робоча та зберігання) | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F105RBT6 оригінал, LQFP64
В наявності
224,66 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M3, 32 біт |
| Макс. тактова частота | 108 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Flash-пам'ять | 128 КБ (варіант RB) |
| SRAM | 64 КБ (варіант RB) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В (VDD, VDDA) |
| Діапазон робочих температур | -40…+85 °C (Industrial) |
| Корпус | LQFP64 |
| Кількість виводів | 64 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXGH48N60C3D1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc = 25 °C, обмежено виводами); 48 А (Tc = 110 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 30 А, Vge = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1960 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний ультрашвидкий (FRED) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод Шоттки MBR40150PT оригінал (40A,150V) , TO247-3pin
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, подвійний, спільний катод |
| Виробник (datasheet) | Good-Ark Electronics |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 150 В (TA 25 °C) |
| Vrms | 105 В (TA 25 °C) |
| Vdc | 150 В (TA 25 °C) |
| If(av) | 40 А на прилад (TA 25 °C) |
| Ifsm на діод | 330 А (8.3 мс, одна півсинусоїда) |
| Vf, тип. / макс. | 0.82 / 0.90 В (If = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vf, макс. | 0.80 В (If = 20 А, Tj 125 °C) |
| Rth(j-a) | 62.5 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N65F оригінал (заміна для CS7N65A ), TO220F
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,5 А |
| Rds(on) тип. | 0,98 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Rds(on) макс. | 1,4 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1072 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (25 °C) | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| EAS | 450 мДж |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Тиристор CLA50E1200HB оригінал демонтаж(1200V,50A), TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (нині Littelfuse) |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 1200 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм It(av) | 50 А (Tc = 125 °C) |
| Струм It(rms) | 79 А (синусоїда 180°) |
| Струм керування Igt | 50 мА макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. (Tvj = 25 °C, Vd = 6 В) |
| dV/dt | 1000 В/мкс (Tvj = 150 °C, V = 2/3 Vdrm, Rgk = ∞) |
| Пряме падіння Vt | 1.27 В (It = 50 А, Tvj = 125 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Супресор P6SMB15CA ( SMB15CA , 15CA )(заміна для P6SMB15C , SMB15C , 15C ) smd двоспрямований
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Супресор (TVS-діод), двоспрямований |
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Напруга пробою Vbr (мін.) | 14.3 В при 1.0 мА, 25 °C |
| Напруга пробою Vbr (макс.) | 15.8 В при 1.0 мА, 25 °C |
| Робоча напруга відсічки Vwm | 12.8 В при 25 °C |
| Пікова імпульсна потужність Pppm | 600 Вт (імпульс 10/1000 мкс) |
| Температура переходу / зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | SMB (DO-214AA) |
Демонтаж
Транзистор 2SK3878 ( K3878 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 9 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Rds(on) макс. | 1.38 Ом (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| RthJC | 0.83 °C/Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле HF152F-T-012-1HTQ 12VDC (16A/250VAC) 4pin на замикання 16*20*20мм
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Контактна група | 1 Form A (SPST-NO), на замикання |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 400 Ом ±10 % (12 В DC, 23 °C) |
| Потужність котушки | прибл. 360 мВт |
| Контакти | 16 А / 250 В AC (при 105 °C) |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Напруга спрацювання | 9,00 В макс. (12 В DC, 23 °C) |
| Напруга відпускання | 1,2 В мін. (12 В DC, 23 °C) |
| Час спрацювання | 10 мс макс. |
| Час відпускання | 5 мс макс. |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Габарити | 21 x 16 x 20,6 мм |