Магазин
Мікросхема LM1876TF оригінал
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | TO-220, 15 виводів |
| Вихідна потужність на канал | 20 Вт (тип.), 4 або 8 Ом, THD+N менше 0.1 % |
| Напруга живлення |VCC| + |VEE| | 20–64 В |
| Струм Standby | 4.2 мА (тип.) |
| Розсіювана потужність | 62.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 2 °C/Вт (NDB) / 1 °C/Вт (NDL) |
| Робоча температура | –20…+85 °C |
| Стійкість до ESD (HBM) | 2000 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG3002 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 1 |
| Напруга живлення VCC | 3–30 В (рекомендовано 8–20 В) |
| Пік струму витоку OUTD | 1 А (мін. 0.8 А) |
| Пік струму втікання OUTS | 1.2 А (мін. 1 А) |
| Струм споживання Icc | 2 мА (макс. 3.5 мА), VCC 12 В |
| Час наростання Tr | 80 нс (CL = 0), 160 нс (CL = 1000 пФ) |
| Час спаду Tf | 20 нс (CL = 0) |
| Затримка вмикання Ton | 200 нс (CL 1 нФ) |
| Затримка вимикання Toff | 80 нс (CL 1 нФ) |
| Робоча температура | –45…+105 °C |
Мікросхема EG27324 , so-8
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 незалежні (INA/OUTA, INB/OUTB) |
| Напруга живлення VCC | 2.8–20 В (25 °C) |
| Вихідний струм IO– | 2.5 А (мін. 2 А), VCC 12 В, CL 1 нФ, імпульс до 10 мкс |
| Струм спокою Icc | менше 1 мкА (VCC 12 В, 25 °C) |
| Поріг логічної одиниці | від 2.5 В |
| Поріг логічного нуля | до 1.0 В |
| Робоча температура | –45…+125 °C |
Транзистор NCEP60T15G ( P60T15G ) оригінал, DFN5*6
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 150 А при Tc 25 °C; 105 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,8 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW3205 ( SWP3205 ) , TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Samwin |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C), 75 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS 10 В, ID 59 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3240 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL25N50 ( 25N50 , GL25N50B47 , GL25N50AN ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм тип., 240 мОм макс. (VGS 10 В, ID 14 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл тип. (VDS 400 В, ID 25 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60R380F ( BLS60R380F-P ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6,93 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 3,8 А | 0,32 Ом (тип.), 0,38 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 21,1 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 100 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Belling |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG026N08NS ( HYG026N08 , G026N08 ) оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id | 200 А (Tc 25 °C), 141,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип., 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 50 А) |
| Vgs(th) | 2,2 / 3 / 3,8 В (мін. / тип. / макс.) |
| Qg | 107 нКл (Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Pd | 258,6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT030N04L оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, Id 30 А | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.3…2.7 В |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5734 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 160 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HEM ( OST60N65HEMF ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5651 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 оригінал ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ), TO-3P
В наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9.9 А |
| Опір Rds(on) макс. | 380 мОм (Vgs 10 В, Id 8,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS180N06 оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) макс. | 4 мОм (VGS = 10 В, ID = 90 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 245 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4882 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон OR3120 оригінал, SOP8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Orient (Shenzhen Orient Components) |
| Піковий вихідний струм IOH / IOL | 3,0 А (абсолютний максимум) |
| Робочий вхідний струм | 7–16 мА |
| Середній вхідний струм | 25 мА (абсолютний максимум) |
| Низький рівень виходу VOL | 0,25 В (макс.) |
| Струм споживання | 3 мА (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMR | 35 кВ/мкс (мін.) при Vcm = 1500 В |
| Затримка розповсюдження | 0,2 мкс (макс.) |
| Поріг UVLO (вкл. / викл.) | 12,7 / 11,2 В (тип.), гістерезис 1,5 В |
| Робоча температура | -40…110 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CHL8510CRT оригінал, DFN10
В наявності
86,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер верхнього та нижнього N-канальних MOSFET |
| Напруга живлення драйверів | 4.5–13.2 В |
| Рекомендована напруга Vcc | 12 ±10 % |
| Струм нижнього драйвера (джерело / сток) | 4 / 6 А |
| Струм верхнього драйвера (джерело / сток) | 3 / 4 А |
| Частота перемикання | 200–1000 кГц |
| Температура середовища | 0–85 °C |
| Корпус | DFN-10 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MD20N65 оригінал, TO3P
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Minos |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.46 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 300 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3120 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NCS199A3 ( NCS199A3SQT2G , ACPx ) оригінал, SC70-6
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | двонаправлений підсилювач струму шунта, нуль-дрейф, вихід за напругою |
| Коефіцієнт підсилення | 200 В/В |
| Напруга живлення VS | 2.7–26 В |
| Синфазна напруга на входах | -0.3…26 В |
| Напруга зміщення | ±150 мкВ (макс.) |
| Струм споживання | 65 мкА (тип.) |
| Температура навколишнього середовища | -40…125 °C |
| Корпус | SC70-6 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RU75N08R ( RU75N08 ) оригінал демонтаж (заміна для LTP75N08 , WFP75N08 ), TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 80 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 76 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А; типове 8 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 … 4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDS = 60 В, VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3400 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±25 В |
| Потужність розсіювання Pd | 176 Вт (TC 25 °C; 88 Вт при TC 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Виробник | Ruichips |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CJT03P10 ( T03P10 ) оригінал, sot223
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -100 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -3 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 190 мОм (VGS = -10 В, ID = -3 А; типове 153 мОм) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В (макс.) | 210 мОм (VGS = -4,5 В, ID = -1 А; типове 166 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1 … -3 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (Ta 25 °C, плата 1 дюйм² з міддю 2 унції) |
| Вхідна ємність Ciss | 1419 пФ (f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | JSCJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF12N65 оригінал (заміна для HF12N65 , PJF12N65M , F12N65M ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴
Транзистор JVC085T ( VC085T ) оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік-витік Vds | 80 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 126 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 79 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 5,7 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0 / 3,0 / 4,0 В (мін. / тип. / макс.; Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs 0–10 В, Vds 40 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3503 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 173 Вт (Tc 25 °C), 69 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 57 нс (If 15 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F
В наявності
54,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, високовольтний |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (600 В при Tj 150 °C) |
| Струм Id | 9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F) |
| Струм Id (100 °C) | 6 А (Tc = 100 °C, TO-220F) |
| Rds(on) | 0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F) |
| Вхідна ємність Ciss | 868 пФ |
| Vgs | ±30 В макс. |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HM ( OST80N65HMF ) оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 114 А |
| Струм Ic при 100 °C | 80 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 172 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1010E (заміна для IRF1010N ) оригінал (60V,84A), TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 84 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 59 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В макс. |
| Стан | Оригінал |
