Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1010E (заміна для IRF1010N ) оригінал (60V,84A), TO220
69,56 ₴
38 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
38 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRF1010E – N-канальний польовий транзистор Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220 на 60 В і 84 А. Оригінал; може замінити IRF1010N.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 84 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 59 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs | ±20 В макс. |
| Стан | Оригінал |
IRF1010E – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) HEXFET 5-го покоління від Infineon (International Rectifier). Напруга стік-витік – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мінімум). Струм стоку – 84 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 59 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 12 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А. Розсіювана потужність – 200 Вт при Tc = 25 °C, робоча температура переходу – від -55 до +175 °C. Виробник вказує швидке перемикання, dv/dt-стійкість і 100 % лавинну стійкість. Вхідна ємність Ciss типово 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Це оригінал, не демонтаж. Корпус – TO-220. За назвою товару IRF1010E може замінити IRF1010N, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Під час підбору дивіться на напругу, струм, Rds(on) і корпус: значення порівнюйте за однакових умов вимірювання. Заряд затвора Qg – до 130 нКл (ID = 50 А, VDS = 48 В, VGS = 10 В), тому враховуйте можливості драйвера. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- HEXFET-транзистор 5-го покоління з наднизьким опором відкритого каналу, швидким перемиканням і лавинною стійкістю.
Чим замінити IRF1010E?
За назвою товару IRF1010E може замінити IRF1010N. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який опір відкритого каналу в IRF1010E?
Не більше 12 мОм при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C.
Чи потрібен потужний драйвер затвора?
Повний заряд затвора Qg – до 130 нКл (ID = 50 А, VDS = 48 В, VGS = 10 В). Для швидкого перемикання драйвер має витримувати такий заряд.
Документація виробника: IRF1010EPbF, Rev. 2.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.