Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP60T15G ( P60T15G ) оригінал, DFN5*6
131,60 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCEP60T15G (P60T15G) – N-канальний польовий транзистор у корпусі DFN5X6-8L для DC/DC-перетворювачів і синхронного випрямлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 150 А при Tc 25 °C; 105 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,1 мОм макс. (VGS=10 В, ID=20 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (тип. 2,8 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
NCEP60T15G (маркування P60T15G) – N-канальний MOSFET за технологією Super Trench у корпусі DFN5X6-8L. Параметри за даташитом NCEP60T15G (NCE): напруга стік–витік 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.), струм стоку 150 А при Tc 25 °C (обмеження кремнієм) і 105 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 2,8 мОм типово, 3,1 мОм макс. при VGS=10 В, ID=20 А. Заряд затвора Qg 70 нКл при VDS=30 В, ID=20 А, VGS=10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4500 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 200 Вт при Tc 25 °C, робочий діапазон –55…150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на той самий корпус DFN5X6-8L і канал N, напругу не нижче 60 В, струм не нижче та Rds(on) не вище, ніж у цього транзистора, а також на заряд затвора: якщо він більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- DC/DC-перетворювачі
- Високочастотне перемикання та синхронне випрямлення
Чим замінити NCEP60T15G?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі DFN5X6-8L з напругою не нижче 60 В, струмом не нижче та Rds(on) не вище. Порівнюйте значення при однакових умовах вимірювання за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який опір відкритого каналу?
Rds(on) 2,8 мОм типово і 3,1 мОм макс. при VGS=10 В, ID=20 А, Tc 25 °C.
Для чого підходить P60T15G?
P60T15G – маркування цього ж транзистора. Його застосовують у DC/DC-перетворювачах, високочастотному перемиканні та синхронному випрямленні.
Документація виробника: NCEP60T15G (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.