Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JVC085T ( VC085T ) оригінал, TO220
216,20 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JVC085T (маркування VC085T) – N-канальний польовий транзистор JieJie Microelectronics у корпусі TO-220 для DC/DC і AC/DC перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік-витік Vds | 80 В |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 126 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 79 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 5,7 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0 / 3,0 / 4,0 В (мін. / тип. / макс.; Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (Vgs 0–10 В, Vds 40 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3503 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 173 Вт (Tc 25 °C), 69 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 57 нс (If 15 А, dIf/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
JVC085T – N-канальний MOSFET виробника JieJie Microelectronics у корпусі TO-220-3L, маркування на корпусі – VC085T. Напруга стік-витік Vds – 80 В, напруга затвор-витік Vgs – ±20 В. Струм стоку Id – 126 А при Tc 25 °C і Vgs 10 В, 79 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,5 мОм типово і 5,7 мОм максимум (Vgs 10 В, Id 20 А). Порогова напруга Vgs(th) – від 2,0 до 4,0 В, типово 3,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА). Повний заряд затвора Qg – 51 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 3503 пФ. Потужність розсіювання – 173 Вт при Tc 25 °C і 69 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id при тій самій температурі корпусу, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус. Якщо Qg у заміни більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування живленням у комп'ютерній та побутовій техніці, зв'язку.
- DC/DC та AC/DC перетворювачі (синхронне випрямлення).
- Комутація навантаження, швидка та бездротова зарядка, приводи двигунів.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×126=101, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×5.7=7.41 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Звірте розпіновку G, D, S з вашою платою. Допустима напруга затвора у деталі +20 / –12 В. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×126=101, Rds(on) Vgs 10 В max 5.2 ≤ 1.3×5.7=7.41 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg удвічі більший – перевірте драйвер затвора. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×126=101, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×5.7=7.41 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Qg удвічі більший – перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JVC085T?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В, Id не менше 126 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 5,7 мОм при Vgs 10 В. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet і перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи JVC085T і VC085T – одна деталь?
Так, VC085T – маркування на корпусі JVC085T.
Який струм витримує JVC085T?
Id – 126 А при Tc 25 °C і 79 А при Tc 100 °C. Чим гарячіший корпус, тим менший допустимий струм.
Документація виробника: JVC085T.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.