Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HYG026N08NS ( HYG026N08 , G026N08 ) оригінал, D2PAK
216,20 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HYG026N08NS (HYG026N08, G026N08) – N-канальний MOSFET на 80 В у корпусі D2PAK, оригінал. Підходить для комутації, захисту літієвих батарей і керування двигунами.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id | 200 А (Tc 25 °C), 141,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип., 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 50 А) |
| Vgs(th) | 2,2 / 3 / 3,8 В (мін. / тип. / макс.) |
| Qg | 107 нКл (Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Pd | 258,6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
HYG026N08NS – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва Huayi Microelectronics у корпусі TO-263-2L (D2PAK). Напруга стік–витік Vds – 80 В при Tc 25 °C, затвор витримує ±20 В. Струм стоку Id – 200 А при Tc 25 °C і 141,4 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,6 мОм типово і 3,1 мОм максимум при Vgs 10 В, Ids 50 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2,2 до 3,8 В (типово 3 В) при Ids 250 мкА. Заряд затвора Qg – 107 нКл при Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц). Потужність розсіювання – 258,6 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, дивіться на N-канал, корпус D2PAK, Vds не нижче 80 В і порівнюйте Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація, захист літієвих батарей, керування двигунами
Чим замінити HYG026N08NS?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 80 В, близьким Id і Rds(on) при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Якою напругою керувати затвором?
Rds(on) 2,6 мОм типово наведено при Vgs 10 В; максимально допустима напруга затвор–витік – ±20 В.
Чи підходить HYG026N08NS для захисту літієвих батарей?
Так, комутація та захист літієвих батарей – одне із застосувань за документом. Розрахуйте режим під свою схему.
Документація виробника: HYG026N08NS1P (Huayi Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.