Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CJT03P10 ( T03P10 ) оригінал, sot223
100,11 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CJT03P10 (T03P10) – P-канальний польовий транзистор (MOSFET) JSCJ у корпусі SOT-223. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-223 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -100 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА) |
| Струм стоку Id | -3 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) (макс.) | 190 мОм (VGS = -10 В, ID = -3 А; типове 153 мОм) |
| Опір Rds(on) при 4,5 В (макс.) | 210 мОм (VGS = -4,5 В, ID = -1 А; типове 166 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1 … -3 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (Ta 25 °C, плата 1 дюйм² з міддю 2 унції) |
| Вхідна ємність Ciss | 1419 пФ (f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | JSCJ |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
CJT03P10 (T03P10) – P-канальний польовий транзистор виробництва JSCJ у корпусі SOT-223 для поверхневого монтажу. Напруга Vds -100 В (при VGS = 0 В, ID = -250 мкА), струм стоку Id -3 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) не більше 190 мОм при VGS = -10 В, ID = -3 А (типове значення 153 мОм), при VGS = -4,5 В, ID = -1 А – не більше 210 мОм. Порогова напруга Vgs(th) від -1 до -3 В. Напруга затвор–витік ±20 В, потужність розсіювання 3.1 Вт при Ta 25 °C на платі 1 дюйм² з міддю 2 унції, температура переходу до 150 °C. Виводи: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Вхідна ємність Ciss типово 1419 пФ (f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте P-канальний транзистор у корпусі SOT-223 з такою самою розпіновкою. Напруга Vds і струм Id мають бути не нижчими, а Rds(on) – не вищим за наведені вище, при порівнянній напрузі на затворі. Параметри порівнюйте за datasheet.
Де застосовують
- Силові ключі загального призначення
Чим замінити CJT03P10?
У нашому каталозі підтверджених аналогів зараз немає. Шукайте P-канальний MOSFET у корпусі SOT-223 з такою самою розпіновкою (1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік), напругою Vds не нижче -100 В і струмом не менше -3 А. Параметри порівнюйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи керується CJT03P10 логічним рівнем?
Rds(on) нормовано при VGS = -10 В і при VGS = -4,5 В, порогова напруга Vgs(th) від -1 до -3 В. Для вашої схеми перевірте значення за datasheet.
Де у CJT03P10 стік, а де витік?
Виводи в корпусі SOT-223: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Документація виробника: CJT03P10 (JSCJ).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.