Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TF8N50 ( AOTF8N50 ) оригінал, TO220F

54,99 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

TF8N50 (AOTF8N50) – високовольтний N-канальний польовий транзистор Alpha & Omega Semiconductor у корпусі TO-220F на 500 В. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, високовольтний
ВиробникAlpha & Omega Semiconductor (AOS)
КорпусTO-220F
Напруга Vds500 В (600 В при Tj 150 °C)
Струм Id9 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В, TO-220F)
Струм Id (100 °C)6 А (Tc = 100 °C, TO-220F)
Rds(on)0,85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4 А)
Потужність Pd38,5 Вт (Tc = 25 °C, TO-220F)
Вхідна ємність Ciss868 пФ
Vgs±30 В макс.
СтанОригінал
Опис

TF8N50 (AOTF8N50) – високовольтний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Alpha & Omega Semiconductor. Напруга стік-витік – 500 В (600 В при Tj 150 °C за Product Summary). Струм стоку у корпусі TO-220F – 9 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 6 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,85 Ом при VGS = 10 В, ID = 4 А (типове значення 0,63 Ом). Розсіювана потужність для TO-220F – 38,5 Вт при Tc = 25 °C. Діапазон температур переходу – від -55 до 150 °C. Виробник вказує 100 % UIS-тест (лавинна стійкість) і 100 % тест Rg. Вхідна ємність Ciss типово 868 пФ.

Це оригінал, не демонтаж. Корпус – TO-220F. Під час підбору заміни порівнюйте напругу, струм, Rds(on) і корпус за однакових умов вимірювання. Напруга затвор-витік – до ±30 В. Повний заряд затвора Qg – 23,6 нКл типово, 28 нКл максимум (VGS = 10 В, VDS = 400 В, ID = 8 А). Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • AC-DC застосування, мережеві джерела живлення (offline power supply designs).
Часто питають
Чим замінити TF8N50?

У нашій картці підтверджених аналогів немає. Підбирайте за напругою, струмом, Rds(on) і корпусом TO-220F, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить TF8N50 для мережевих джерел живлення?

У datasheet AOTF8N50 зазначені AC-DC застосування, зокрема мережеві джерела живлення (offline power supply designs).

Чим корпус TO-220F відрізняється за потужністю від TO-220?

У datasheet для TO-220F розсіювана потужність – 38,5 Вт, для TO-220 – 192 Вт (Tc = 25 °C).

Datasheet

Документація виробника: AOT8N50/AOTF8N50, Rev.8.1.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

AOT8N50/AOTF8N50, Rev.8.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.