Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT030N04L оригінал, TO220
103,40 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRTT030N04L – N-канальний польовий транзистор CRMICRO у корпусі TO-220 на 40 В і 80 А. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, Id 30 А | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.3…2.7 В |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5734 пФ |
| Потужність Pd (25 °C) | 160 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
CRTT030N04L – N-канальний MOSFET виробництва CRMICRO, виконаний за технологією Trench, у корпусі TO-220. Напруга Vds – 40 В, струм стоку Id – 80 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.9 мОм (тип.), 3.3 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А, Tj 25 °C; при Vgs 4,5 В і Id 30 А – 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1.3…2.7 В (тип. 2 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 126 нКл (тип.) при Vgs 10 В, Vds 20 В, Id 40 А. Вхідна ємність Ciss типово 5734 пФ. Потужність розсіювання Pd – 160 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, звіряйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі та корпус TO-220; заряд затвора впливає на вибір драйвера. Заміни з нашого каталогу – у таблиці аналогів на цій сторінці. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами
- Системи керування батареями (BMS)
- ДБЖ
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 40, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80 = 64, Rds(on) макс. 3.9 ≤ 1.3×3.3 = 4.29 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | Vds вищий (80 В) | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×80 = 64 (обмеження корпусом 120 А), Rds(on) макс. 3.0 ≤ 1.3×3.3 = 4.29 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220AB | корпус TO-220AB – перевірте розпіновку; Qg 120 нКл тип. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 40, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80 = 64, Rds(on) макс. 3.8 ≤ 1.3×3.3 = 4.29 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220-3L | Vds вищий (85 В); корпус TO-220-3L – перевірте розпіновку | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 40, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80 = 64, Rds(on) макс. 4.2 ≤ 1.3×3.3 = 4.29 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | Vds значно вищий (100 В); Id 160 А вказано на великому радіаторі | Купити |
| RU6199R | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 75 (обмеження корпусом) ≥ 0.8×80 = 64, Rds(on) макс. 3.7 ≤ 1.3×3.3 = 4.29 мОм при Vgs 10 В, корпус TO-220 = TO-220 | струм 200 А розрахунковий, реально обмежений корпусом 75 А; Qg 155 нКл тип. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити CRTT030N04L?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 40 В та порівнянними зі сторінкою Id і Rds(on) при Vgs 10 В. Підходящі позиції з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи керується транзистор логічним рівнем?
Rds(on) наведено і при Vgs 10 В (2.9 мОм тип.), і при Vgs 4,5 В (3.5 мОм тип.), порогова напруга Vgs(th) – 1.3…2.7 В.
На що звернути увагу при заміні?
Заряд затвора CRTT030N04L – 126 нКл (тип.) при Vgs 10 В. Якщо в аналога Qg удвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер.
Документація виробника: CRTT030N04L (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.