Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
85,07 ₴
84 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
84 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G042N10 (HYG042N10, HYG042N10NS1P) – N-канальний польовий транзистор HUAYI на 100 В і 160 А в корпусі TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
G042N10 – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI в корпусі TO-220, у документі він названий HYG042N10NS1P. Напруга Vds – 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мінімум), струм стоку Id – 160 А при Tc 25 °C і 113 А при Tc 100 °C (обидва на великому радіаторі). Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,5 мОм типове і 4,2 мОм максимальне (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 119 нКл типове (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А), порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, максимальна Vgs – ±20 В. Вхідна ємність Ciss типово 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vsd 0,88 В типове, trr 70 нс (Isd 50 А, dIsd/dt 100 А/мкс). Максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id при тій самій температурі корпусу, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус. За даними виробника, пряма заміна – HYG042N10NS1B. Відправка Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі
- Перетворювачі DC-DC
Чим замінити G042N10?
Пряма заміна за даними виробника – HYG042N10NS1B, її зараз немає в нашому каталозі. Інші варіанти підбирайте за Vds, Id, Rds(on) і корпусом TO-220.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Під якими назвами ця деталь зустрічається?
G042N10, HYG042N10 і HYG042N10NS1P – у назві товару це одна деталь.
На який струм розрахований транзистор?
160 А при Tc 25 °C і 113 А при Tc 100 °C на великому радіаторі. Без радіатора такий струм не отримати.
Документація виробника: HYG042N10NS1P (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема KA3525A , DIP16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Опорна напруга Vref | 5,0 / 5,1 / 5,2 В (мін / тип / макс, Tj 25 °C, Vcc 20 В) |
| Точність Vref | ±1 % |
| Vcc макс. | 40 В |
| Vc макс. | 40 В |
| Вихідний струм | 500 мА |
| Pd | 1000 мВт (Ta 25 °C) |
| Частота генератора макс. | 430 кГц (тип.), мін. 400 кГц (Rt 2 кОм, Ct 470 пФ, Tj 25 °C) |
| Струм споживання | 12 мА (тип.), 20 мА (макс.) при Vcc 35 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
Транзистор 2SC2655 ( 2SC2655L )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 50 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCBO | 50 В |
| Напруга VEBO | 5 В |
| Струм колектора (постійний) | 2 А |
| Потужність | 0,9 Вт |
| hFE(1) | 70–240 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| hFE(2) | 40 мін. (VCE 2 В, IC 1,5 А) |
| VCE(sat) | 0,5 В макс. (IC 1 А, IB 0,05 А) |
| fT | 100 МГц мін. (VCE 2 В, IC 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.