Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема Micro EG3112 , so-8
64,86 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EG3112 – драйвер затворів потужних MOSFET та IGBT (верхній і нижній канали) виробництва EG Micro, корпус SOP-8.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Тип | Драйвер затворів MOSFET/IGBT (напівміст) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга верхнього плеча VB | 600 В (макс., TA 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 2,8–20 В |
| Вихідний струм (витікання) | 2 А |
| Вихідний струм (втікання) | 2,5 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Мертвий час | 100 нс (Vcc 12 В, CL 10 нФ) |
EG3112 – драйвер затворів потужних MOSFET та IGBT для напівмоста: верхній та нижній канали, виробник EG Micro. Напруга верхнього плеча VB до 600 В (TA 25 °C), напруга живлення Vcc 2,8–20 В. Вихідний струм: витікання 2 А (мін. 1,8 А; Vo 0 В, PW ≤ 10 мкс), втікання 2,5 А (мін. 2 А; Vo 12 В, PW ≤ 10 мкс). Макс. частота 500 кГц, мертвий час 100 нс (діапазон 50–300 нс, Vcc 12 В, CL 10 нФ). Рівень логічного входу HIN і LIN – 3,3 / 5 В, активний високий рівень. Струм спокою <5 мкА (входи вільні, Vcc 12 В), робоча температура від -45 до 125 °C.
Корпус SOP-8, 8 виводів. Затримка вмикання HO – 250 нс, LO – 280 нс (макс. 400 нс, Vcc 12 В, CL 10 нФ). Підбираючи заміну, звіряйте розпіновку та мертвий час за datasheet: взаємозамінність перевіряйте самостійно. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Контролери електромобілів і безщіткових двигунів.
- Високовольтні швидкозарядні джерела для power bank, понижувальні перетворювачі до 600 В.
- Високовольтні підсилювачі класу D, насоси з частотним керуванням.
Чим замінити EG3112?
Для мікросхем підходить лише повна заміна pin-to-pin. Перевіряйте розпіновку SOP-8, мертвий час і рівні логічних входів за datasheet.
Які рівні сигналу потрібні на входах?
Входи HIN і LIN мають активний високий рівень, логічний рівень 3,3 / 5 В.
Який струм дає драйвер?
Витікання 2 А і втікання 2,5 А (Vo 0 В і 12 В відповідно, PW ≤ 10 мкс).
Яка максимальна напруга верхнього плеча?
VB до 600 В при TA 25 °C.
Документація виробника: EG3112 (EG Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор FHF20N60 оригінал (заміна для HF20N60 ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 61 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 300 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF16N65DF ( 16N65 ) оригінал (заміна для PY16N65MF , 16N65MF , STF16N65M2 , 16N65M2 , OSPF16N65 , PF16N65 )(16A,650V), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (безперервний; корпус TO-263 у документі) |
| Rds(on) | 0,55 Ом макс. (типово 0,45 Ом; VGS=10 В, ID=8 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (типово; VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc=25 °C; корпус TO-263 у документі) |
| Температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.