Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQF16N65DF ( 16N65 ) оригінал (заміна для PY16N65MF , 16N65MF , STF16N65M2 , 16N65M2 , OSPF16N65 , PF16N65 )(16A,650V), TO220F
141,00 ₴
24 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
24 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQF16N65DF (16N65) – N-канальний польовий транзистор на 650 В і 16 А в корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (безперервний; корпус TO-263 у документі) |
| Rds(on) | 0,55 Ом макс. (типово 0,45 Ом; VGS=10 В, ID=8 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (типово; VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc=25 °C; корпус TO-263 у документі) |
| Температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FQF16N65DF – N-канальний MOSFET режиму збагачення в корпусі TO-220F. За даташитом найближчої деталі 16N65 (HXY MOSFET): напруга Vds 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.), струм стоку Id 16 А (безперервний; у документі корпус TO-263), опір відкритого каналу Rds(on) 0,55 Ом макс. при VGS=10 В, ID=8 А (типово 0,45 Ом). Заряд затвора Qg типово 54 нКл (VDD=325 В, ID=16 А, VGS=0–10 В), порогова напруга Vgs(th) 2,0–4,0 В. Вхідна ємність Ciss типово 2442 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 180 Вт при Tc=25 °C (корпус TO-263 у документі), температура переходу -55…175 °C. Вбудований діод є.
Оригінал, не демонтаж. FQF16N65DF може замінити PY16N65MF, 16N65MF, STF16N65M2, 16N65M2, OSPF16N65 та PF16N65; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Id і Pd залежать від корпусу, тому для TO-220F звіряйте їх з документом на ваш варіант. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Захист акумуляторів
- Ключ навантаження
- Джерела безперебійного живлення
- Імпульсні схеми
Чим замінити FQF16N65DF?
За назвою товару FQF16N65DF може замінити PY16N65MF, 16N65MF, STF16N65M2, 16N65M2, OSPF16N65 та PF16N65. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як підібрати заміну за параметрами?
Беріть N-канальний MOSFET у тому самому корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В і порівнянним Rds(on) при VGS=10 В. Id і Pd порівнюйте для корпусу TO-220F, а не за документом з іншим корпусом.
Чи є у FQF16N65DF вбудований діод?
Так. За даташитом найближчої деталі 16N65 (HXY MOSFET): Vsd макс. 1,5 В, trr 380 нс, Qrr 2,6 мкКл при IF=16 А, VGS=0, diF/dt=100 А/мкс.
Найближчий datasheet: 16N65 (HXY MOSFET).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.