Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GL24N90 ( 24N90 , GL24N90A47 , GL24N90A ) оригінал, TO247
329,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GL24N90 – N-канальний польовий транзистор Wuxi Guang Lei у корпусі TO-247, оригінал. Напруга Vds 900 В, струм стоку Id 24 А при Tc 25 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (VDMOSFET) |
| Виробник | Wuxi Guang Lei |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 350 мОм макс. (VGS 10 В, ID 12 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 400 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 550 нс тип. (IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
GL24N90 (24N90, GL24N90A47, GL24N90A) – N-канальний польовий транзистор (VDMOSFET) виробництва Wuxi Guang Lei у корпусі TO-247, оригінал. Напруга Vds – 900 В (VGS 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 24 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 350 мОм (макс.) при VGS 10 В, ID 12 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,5 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 400 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є, час зворотного відновлення trr – 550 нс (тип.) при IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звірте тип каналу (N), корпус TO-247 і напругу Vds не нижче 900 В. Струм Id і опір Rds(on) порівнюйте за тих самих умов вимірювання, а наявність вбудованого діода – за схемою. Відправка з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Схеми перемикання живлення (блоки живлення ПК)
Чим замінити GL24N90?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-247 з Vds не нижче 900 В, Id не нижче 24 А при Tc 25 °C і Rds(on) не вище 350 мОм при VGS 10 В. Зараз у нашому каталозі підходящого аналога немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у GL24N90 вбудований діод?
Так, вбудований діод є, його trr – 550 нс (тип.) при IS 24 А, dIF/dt 100 А/мкс, Tj 25 °C.
Який струм витримує GL24N90 при нагріві корпусу?
Id – 24 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: GL24N90A47 (Wuxi Guang Lei).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.