Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHS020N04E оригінал, D2PAK
225,60 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DHS020N04E – N-канальний польовий транзистор WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) у корпусі TO-263 (D2PAK). Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 180 А (TC 25 °C); 126 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 1.7 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 2.1 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 1–3 В, тип. 2 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 74.3 нКл (VGS 10 В, VDD 20 В, ID 85 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4557 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Стан | Оригінал |
DHS020N04E – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) у корпусі TO-263 (D2PAK). Напруга стік–витік Vds – 40 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 180 А при TC 25 °C і 126 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 1.7 мОм, максимум 2.1 мОм (VGS 10 В, ID 85 А, TC 25 °C). Вхідна ємність Ciss типово 4557 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 200 Вт при TC 25 °C, температура переходу від -55 до 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 74.3 нКл (VGS 10 В, VDD 20 В, ID 85 А), порогова напруга Vgs(th) – 1–3 В, типово 2 В. Вбудований діод є: Vsd до 1,3 В, trr типово 47 нс. Для заміни підбирайте N-канальний транзистор у корпусі D2PAK з не меншими Vds і Id та не вищим Rds(on). Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Силові ключі
- Системи керування інверторами
- Електроінструмент
- Автомобільна електроніка
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити DHS020N04E?
Підбирайте транзистор з тим самим каналом (N-канал) і корпусом D2PAK, з напругою Vds і струмом Id не нижчими, а Rds(on) не вищим. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити польовий транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод між стоком і витоком, а також відсутність пробою між затвором і іншими виводами. Для повної перевірки потрібне навантаження в схемі.
Для чого підходить DHS020N04E?
Силові ключі, системи керування інверторами, електроінструмент, автомобільна електроніка.
Документація виробника: DHS020N04E (WXDH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.