Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор SH1003N ( JMSH1003NE-13 ) оригінал, D2PAK

105,75 ₴

24 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

24 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SH1003N (JMSH1003NE-13) – N-канальний MOSFET на 100 В у корпусі D2PAK для приводів двигунів і DC/DC. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА)
Струм Id (25 °C)215 А
Струм Id (100 °C)136 А
Rds(on) тип.3,0 мОм (VGS 10 В, ID 20 А)
Rds(on) макс.3,6 мОм (VGS 10 В, ID 20 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (тип. 3,0 В)
Qg84 нКл (VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А)
Вхідна ємність Ciss4797 пФ
Pd (25 °C)312 Вт
КорпусD2PAK
Тип каналуN-канал
Tj, Tstg (робоча та зберігання)від -55 до 150 °C
СтанОригінал
Опис

SH1003N (артикул JMSH1003NE-13) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-263-3L (D2PAK) виробництва JieJie Microelectronics. Напруга стік–витік Vds – 100 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 215 А при TC 25 °C, VGS 10 В і 136 А при TC 100 °C. Rds(on) – 3,0 мОм тип. і 3,6 мОм макс. при VGS 10 В, ID 20 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В). Заряд затвора Qg – 84 нКл при VGS 10 В, VDS 50 В, ID 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 4797 пФ. Потужність розсіювання – 312 Вт при TC 25 °C і 125 Вт при TC 100 °C. Вбудований діод: Vsd тип. 0,66 В, trr тип. 71 нс.

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус D2PAK, канал, Vds, Id і Rds(on) при однакових умовах; якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Приводи двигунів в електроінструменті, електротранспорті, робототехніці
  • Комутація струму в DC/DC та AC/DC (синхронне випрямлення)
  • Керування живленням у телекомунікаціях та промисловій автоматиці
Часто питають
Чим замінити SH1003N?

Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK з Vds не нижче 100 В, достатнім Id і Rds(on) не гіршим при VGS 10 В. Порівнюйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для синхронного випрямлення?

Так, застосування за datasheet – комутація струму в DC/DC та AC/DC (синхронне випрямлення), приводи двигунів. Умови вашої схеми звіряйте з datasheet.

Чому на деталі SH1003N, а в datasheet JMSH1003NE?

SH1003N – маркування, JMSH1003NE-13 – артикул у документі виробника.

Datasheet

Документація виробника: JMSH1003NE (JieJie Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

JMSH1003NE (JieJie Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.