IGBT-транзистори
IGBT-транзистор 40RR21 ( GT40RR21 ) оригінал (1350V,40A) , TO3P
Немає в наявності
243,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic | 40 А (абсолютний максимум) |
| Vce(sat) | 2,05 В (IC 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (VCE 10 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 75N60FL2 ( NGTB75N60FL2WG )оригінал демонтаж б/в (600V,75A),TO247
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,75 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В (Vge = Vce, Ic 350 мА) |
| Заряд затвора Qg | 310 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 595 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BT15T120 оригінал (Заміна G15N120D , 15N120HKD ) , TO3P
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (BVCES при VGE 0 В, IC 1 мА) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 30 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 15 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 45 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,95 В (IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81,5 нКл (VCE 960 В, IC 15 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (VCE 25 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор BTS141 оригінал, TO220
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канал, Smart SIPMOS, нижній ключ (low side) |
| Напруга Vds | 60 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) | 25 мОм тип., 28 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) при 150 °C | 45 мОм тип., 56 мОм макс. (VIN = 10 В, ID = 12 А, Tj = 150 °C) |
| Поріг входу VIN(th) | 1,3–2,2 В, тип. 1,7 В (ID = 2,7 мА) |
| Струм обмеження ID(lim) | 25–50 А, тип. 35 А |
| Номінальний струм ID(ISO) | 12 А (TC = 85 °C) |
| Макс. робоча температура | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGD4536 оригінал , D-PAK (360V,220A,125W)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга колектор–емітер Vces | 360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,59 В тип., 1,8 В макс. (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,66 В (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,3 В тип., 2,4–4,0 В (IC 250 мкА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 1,0 °C/Вт (IGBT) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH60N60UFD оригінал , TO247
Немає в наявності
343,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В (короткочасно ±30 В) |
| Струм колектора Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 180 А (Tc 25 °C, ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 188 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C); 2.1 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.0 / 5.0 / 6.5 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 40 / 80 нс (тип. / макс.; Vcc 400 В, Ic 60 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vfm | 2.0 В тип. / 2.6 В макс. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 47 нс (If 30 А, diF/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C); 179 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.33 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,1 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (фланець – колектор) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGPF4633 , TO220F
Немає в наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 330 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм колектора Ic pulse | 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 30.5 Вт (Tc 25 °C); 12.2 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 1.8 В макс. (Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.4 / 3.3 / 4.0 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 260 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, резистивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4.1 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220F (виводи: G, C, E) |
IGBT-транзистор FGPF4633 оригінал , TO220F (Заміна для FGT313 , GT30F126 , 30F126 )
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Імпульсний струм колектора Ic | 300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01) |
| Напруга насичення Vce(sat) (20 А) | 1.1 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) (70 А) | 1.55 В (типово, IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.4–4.0 В (IC = 250 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (типово, VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 30.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | 30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGW40N120HD ( 40G120HD ) оригінал ( заміна для FGW40N120WD , 40G120WD ), TO247
Немає в наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 70 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,8 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0 В (Vce 20 В, Ic 40 мА) |
| Заряд затвора Qg | 300 нКл (Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP07N120 ( SGP07N120 ) (1200V,16.5A,125W) , TO220
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 16.5 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 7.9 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.1 В (типово, IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3–5 В (IC = 350 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Стійкість до КЗ | 10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP70N33 оригінал демонтаж б/в (заміна для FGPF70N33 ) , TO220F
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GP70N33 |
| Корпус | TO-220F |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J124 ( 30J124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( GT30J122 , 30J122 )
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Ta = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А (Ta = 25 °C; імпульсний ICP 100 А, 1 мс) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,8 В макс. (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Напруга відсікання VGE(off) | 3,0–6,0 В (IC = 50 мА, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 0,25 мкс тип., 0,40 мкс макс. (IC = 50 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GT45F122 , TO220F
Немає в наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GT45F122 |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW30NC60KD ( STGW30NC60KD ) , TO247 оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
296,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 28 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,7 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tc = 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,5–6,5 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultra fast), IF = 30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW40NC60KD ( STGW40NC60KD ) , TO247
Немає в наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge = 0) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Струм колектора Ic | 70 А (Tc 25 °C); 38 А (Tc 100 °C), розрахункові за формулою з документа |
| Імпульсний струм колектора Icp | 220 А (ширина імпульсу обмежена Tj max) |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 135 нКл (Vce 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.1 В тип. / 2.7 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C); 1.9 В тип. (Tc 125 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5 / 6.5 В (мін. / макс.; Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Час спаду струму tf | 87 нс (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C); 130 нс (Tc 125 °C) |
| Втрати вимкнення Eoff | 716 мкДж (Vcc 480 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C); 1200 мкДж (Tc 125 °C) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс (Vce = 0,5 V(br)ces, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В) |
| Вбудований діод | є, надшвидкий (ultra fast free-wheeling) |
| Пряма напруга діода Vf | 2.4 В тип. (If 30 А, Tc 25 °C); 1.8 В тип. (Tc 125 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 45 нс (If 30 А, Vr 50 В, di/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C); 100 нс (Tc 125 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.5 °C/Вт (IGBT, макс.); діод 1,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1353 ( IHW20N135R3 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 0,5 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А (Tc = 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В тип., 1,8 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 195 нКл (VCC = 1080 В, IC = 20 А) |
| Потужність Pd | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) , TO-247
Немає в наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA) |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (типово, IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (IC = 0.7 mA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) , TO247(1350V,30A,349W)
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1353 ( IHW30N135R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247 (1350V,30A,349W)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом (Reverse-conducting) |
| Напруга Vce | 1350 В (абсолютний максимум) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 60 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 90 А |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) | 5,8 В (IC 0,75 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (VCC 1080 В, IC 30 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) , TO247
Немає в наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1350 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,8 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Час спаду tf | 43 нс (Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 7,5 Ом) |
| Вбудований діод | так, монолітний, для м’якої комутації |
| Пряма напруга діода Vf | 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор IRG4BC40W-S ( G4BC40W-S ) оригінал, D2PAK
Немає в наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | n-канал |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 40 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 20 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 2.05 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 98 нКл (типово, IC = 20 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30F оригінал (600V,31A,100W) , TO-247
Немає в наявності
163,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD оригінал , TO-247
Немає в наявності
145,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | так (HEXFRED, ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG7IC28U (600V,225A) оригінал , TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 25 А (TC = 25 °C, VGE = 15 В) |
| Струм Ic при 100 °C | 12 А (TC = 100 °C, VGE = 15 В) |
| Піковий струм Irp | 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,70 В (typ, макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2–4,7 В (VCE = VGE, ICE = 250 мкА) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (typ; VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak (TO-220F) |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP3049 оригінал демонтаж б/в , TO-3P (330V,65A)
Немає в наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор (плазмові панелі) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм колектора Ic | 65 А |
| Імпульсний струм колектора Ic(peak) | 330 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.4 В |
| Час наростання tr | 150 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор RJP30H1 , D-PAK
Немає в наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 360 В (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А (Tc = 25 °C) |
| Піковий струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %, Tc = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В (typ, макс. 2 В; IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 2,5–5 В (VCE = 10 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 23 нКл (typ; VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 30 А) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc = 25 °C) |
| Час спаду tf | 150 нс (typ) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Renesas Electronics |
IGBT-транзистор RJP63G4 , D2PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор RJP63K2 , D2PAK
Немає в наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW не більше 10 мкс, шпаруватість не більше 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсікання затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл тип. (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс тип. (Ic 35 А, Rl 8,5 Ом, Vge 15 В, Rg 5 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
Демонтаж
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas Electronics |
| Тип | IGBT-транзистор (n-канал) |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Напруга відсічки затвора Vge(off) | 2.5–5 В (Vce 10 В, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Час спаду tf | 200 нс (Ic 35 А, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Rl 8,5 Ом, Ta 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 5 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор SP25N135T оригінал(1350V,25A) , TO-3P
Немає в наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, ID = 0,5 мА, мін.) |
| Струм Ic | 25 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 25 А, Tc = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,5 В, тип. 5,2 В (VGE = VCE, ID = 0,4 мА) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Xiner |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BT15N120 оригінал, TO3P
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,3 В (Ic 15 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, типове) |
| Вбудований діод | так |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Pd | 186 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA20S120M ( FGA20S 120M ) оригінал, TO-3P
Немає в наявності
229,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, Ic 2 мА) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Напруга Vce(sat) при 175 °C | 1,85 В (Ic 20 А, VGE 15 В, Tc 175 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 208 нКл (VCE 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1,43 мДж (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 320 нс (VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Пряма напруга діода Vf | 1,7 В (If 20 А, Tc 25 °C, типово) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD3040G2 оригінал, D-PAK
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою BVCER | 400 В (Ice 2 мА, Vge = 0, Rge 1 кОм) |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 41 А (Vge 5 В) |
| Струм Ic (Tc 110 °C) | 25,6 А (Vge 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,15 В (Ice 6 А, Vge 4 В, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга Vge(th) | 1,7 В (Ice 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 21 нКл (Ice 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія SCIS | 300 мДж (Tj 25 °C, L 3 мГн, Iscis 14,2 А, Vcc 100 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип | N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Корпус | D-PAK (DPAK3, TO-252) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGP15N60UNDF ( FGP15N60 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
201,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 178 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G80H65DFB ( GWA80H65DFB , STGWA80H65DFB ) оригінал, TO247
Немає в наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 120 А (обмежено корпусом) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал, TO-247 (заміна для 20N120CND , 30N140IHR , NGTB30N140IHR3 , IRG4PH50S , AUIRG4PH50S )
Немає в наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 33 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 63 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H15R1202 ( IHW15N120R2 ) оригінал, TO-247
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Заряд затвора Qg | 133 нКл (VCC 960 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність Ptot | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Енергія вимкнення Eoff | 0,9 мДж (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 62 нс (VCC 600 В, Ic 15 А, VGE 0/15 В, Rg 14,8 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є, монолітний |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1200 В (Vge = 0, Ic = 0,5 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc = 25 °C); 20 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,48 В (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 211 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 20 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 310 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) , TO-247
Немає в наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1350 В (Vge = 0, Ic = 0,75 мА) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP4266D оригінал, TO247 б/в
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 140 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 90 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,7 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,5–7,7 В (Vce = Vge, Ic 2,1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл (Ic 75 А, Vge 15 В, Vcc 400 В, типове) |
| Час спаду tf | 60 нс (Ic 75 А, Vcc 400 В, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | так, надшвидкий з м’яким відновленням |
| Пряма напруга діода Vf | 2,1 В (If 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 170 нс (Vcc 400 В, If 75 А, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 175 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 455 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |