Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор BT15T120 оригінал (Заміна G15N120D , 15N120HKD ) , TO3P

216,20 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

BT15T120 – IGBT-транзистор Trench FS на 1200 В зі вбудованим діодом для силових ключів індукційних плит. Оригінал, корпус TO-3P.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В (BVCES при VGE 0 В, IC 1 мА)
Струм колектора Ic при 25 °C30 А (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic при 100 °C15 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм колектора45 А (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,95 В (IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg81,5 нКл (VCE 960 В, IC 15 А, VGE 15 В)
Вхідна ємність Cies1513 пФ (VCE 25 В, VGE 0 В, f 1 МГц)
Потужність Pd156 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
СтанОригінал
Опис

BT15T120 – IGBT-транзистор (Trench FS) виробництва Wuxi China Resources Huajing Microelectronics з вбудованим зворотним діодом. Параметри наведені за документом BT15T120CNR: повне позначення має суфікс CNR, а BT15T120 – його основа. Напруга колектор–емітер Vces 1200 В (BVCES при VGE 0 В, IC 1 мА). Струм колектора 30 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C, імпульсний струм 45 А при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,95 В при IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg 81,5 нКл (VCE 960 В, IC 15 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1513 пФ (VCE 25 В, VGE 0 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 156 Вт при Tc 25 °C.

Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-3P(N). BT15T120 може замінити G15N120D і 15N120HKD; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силові ключі індукційних плит (IH)
Часто питають
Чим замінити BT15T120?

У назві товару вказано, що BT15T120 може замінити G15N120D і 15N120HKD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити IGBT BT15T120?

Мультиметром у режимі діода перевірте вбудований діод між колектором і емітером та відсутність пробою між затвором і іншими виводами. Для повної перевірки потрібна робота в схемі.

Чи підходить BT15T120 для індукційної плити?

Так, у документі вказано застосування: силові ключі індукційних плит (IH).

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: BT15T120CNR (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

BT15T120CNR (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діодний міст GBU1510 ( Заміна для GBU15M , GBU15K , GBU1508 , GBU10K ) (1000V,15A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm / Vdc1000 В
If(av)15 А (з радіатором, Tc = +100 °C) / 3,2 А (без радіатора, Tc = +100 °C)
Ifsm200 А (8,3 мс)
Vf1,1 В (If = 7,5 А)
Ir5 мкА
Робоча температура переходу-55…+150 °C
КорпусGBU

Запобіжник 5×20 мм 10A з виводами

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
Розмір корпусу5×20 мм
Номінальний струм10 A
Виводиз виводами (аксіальні)

Обплетення ( оплетка ) для зняття припою 8PK-031B ширина 2,0 мм , довжина 1,5 м

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип виробуоплетення для зняття припою
ВиробникPro’sKit
Модель8PK-031B
Ширина2,0 мм
Довжина1,5 м

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.