Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

IGBT-транзистор FGPF4633 оригінал , TO220F (Заміна для FGT313 , GT30F126 , 30F126 )

141,00 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

FGPF4633 – Trench IGBT на 330 В у корпусі TO-220F для плазмових телевізорів (PDP), побутових приладів та освітлення. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
КорпусTO-220F
Напруга Vces330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA)
Імпульсний струм колектора Ic300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01)
Напруга насичення Vce(sat) (20 А)1.1 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat) (70 А)1.55 В (типово, IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)2.4–4.0 В (IC = 250 µA, VCE = VGE)
Заряд затвора Qg60 нКл (типово, VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V)
Потужність Pd30.5 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges30 В
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал
Опис

FGPF4633 – Trench IGBT onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220F. Напруга колектор–емітер Vces 330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA). Напруга насичення Vce(sat) типово 1.1 В (IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) і 1.55 В (IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C). Імпульсний струм колектора 300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01). Заряд затвора Qg типово 60 нКл (VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V). Потужність розсіювання Pd 30.5 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. FGPF4633 може замінити FGT313, GT30F126 і 30F126, зазначені в назві товару. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Trench IGBT на 330 В для плазмових телевізорів (PDP), побутових приладів та освітлення.
  • Низька напруга насичення й швидке перемикання.
Часто питають
Чим замінити FGPF4633?

Підбираючи інший IGBT, порівнюйте Vces, імпульсний струм, напругу насичення при тому самому струмі та корпус TO-220F.

Чи може FGPF4633 замінити FGT313 або GT30F126?

Так, ці номери вказано в назві товару як ті, які він може замінити. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Для чого застосовують цей IGBT?

За даними документа, для плазмових телевізорів (PDP), побутових приладів та освітлення.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: FGPF4633TU (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGPF4633TU (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.