Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) , TO-247
83,19 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30R1202 (IHW30N120R2) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотним діодом у корпусі TO-247 для індукційного нагріву та м’якого перемикання. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA) |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (типово, IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (IC = 0.7 mA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H30R1202 (IHW30N120R2) виробництва Infineon – зі зворотною провідністю: у корпусі є монолітний зворотний діод. Напруга колектор–емітер Vce 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA). Струм колектора Ic 60 А при TC = 25 °C і 30 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.65 В (макс. 1.8 В) при IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C. Заряд затвора Qg типово 198 нКл (VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V). Потужність розсіювання 390 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Корпус PG-TO-247-3, маркування H30R1202.
Нова деталь. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм при 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус, а також заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційне нагрівання (індукційні плити).
- М'яке перемикання (soft switching).
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | струм при 100 °C трохи нижчий; товар – оригінал демонтаж б/в | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | інше покоління; перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити H30R1202?
У каталозі є IGBT-транзистори в TO-247 з такою ж напругою 1200 В і подібним струмом. Перед заміною порівняйте datasheet, особливо Vce(sat) і заряд затвора.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Витягніть деталь зі схеми та перевірте тестером затвор відносно колектора й емітера: обрив або пробій видно одразу. Зворотний діод між емітером і колектором перевіряється як звичайний діод.
Чи є в цього IGBT вбудований діод?
Так, монолітний зворотний діод. Його пряма напруга Vf типово 1.55 В при IF = 30 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C.
Документація виробника: IHW30N120R2 (Infineon Technologies).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.