Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
IGBT-транзистор FGPF4633 , TO220F
58,75 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGPF4633 – N-канальний IGBT-транзистор (PDP Trench) на 330 В у корпусі TO-220F, для PDP-телевізорів і побутової техніки. Нова деталь.
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 330 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм колектора Ic pulse | 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 30.5 Вт (Tc 25 °C); 12.2 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 1.8 В макс. (Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.4 / 3.3 / 4.0 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 260 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, резистивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4.1 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220F (виводи: G, C, E) |
FGPF4633 – N-канальний IGBT-транзистор (PDP Trench) у корпусі TO-220F, виводи G, C, E. Напруга колектор-емітер Vces 330 В, напруга затвор-емітер Vges ±30 В. Імпульсний струм колектора 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) 1.55 В типово і 1.8 В макс. при Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Повний заряд затвора Qg 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Розсіювана потужність Pd 30.5 Вт при Tc 25 °C і 12.2 Вт при Tc 100 °C.
Нова деталь. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet напругу Vces, імпульсний струм, Vce(sat) при тому самому струмі, корпус TO-220F і розташування виводів G, C, E. Маркування на платі звіряйте з номером у назві. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- PDP-телевізори (плазмові панелі)
- Побутова техніка
- Освітлення
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Яка напруга колектор-емітер у FGPF4633?
Vces 330 В.
Для чого використовують FGPF4633?
Для PDP-телевізорів (плазмові панелі), побутової техніки й освітлення.
Чим замінити FGPF4633?
Порівняйте з datasheet Vces, імпульсний струм, Vce(sat) при Ic 70 А, корпус TO-220F і виводи G, C, E. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Документація виробника: FGPF4633TU (onsemi).
У документі вказано лише імпульсний струм колектора (300 А), постійний струм Ic не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.